Dalam elektronik, wafer (juga dipanggil potongan atau substrat[1]) ialah satu potongan nipis bahan semikonduktor, seperti kristal silikon, yang digunakan dalam pemasangsiapan litar bersepadu dan peranti-peranti mikro lain. Wafer berfungsi sebagai substrat bagi peranti-peranti elektronik mikro yang dibina di dalam dan di atas wafer itu dan melalui pelbagai langkah-langkah proses pemasangsiapan mikro seperti pengedopan atau penanaman ion, punaran, pemendapan pelbagai bahan, dan pencorakan fotolitografi. Akhir sekali, setiap litar mikro diasingkan (pendaduan) dan dibungkus.
![Thumb](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/ff/ICC_2008_Poland_Silicon_Wafer_1_edit.png/640px-ICC_2008_Poland_Silicon_Wafer_1_edit.png)
Sesetengah jenis sel suria juga dibuat daripada wafer-wafer seperti ini. Di atas satu wafer suria, satu sel suria (biasanya berbentuk segi empat tepat) dibuat daripada keseluruhan wafer.
Penghasilan
![Thumb](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/6e/Czochralski_Process.svg/640px-Czochralski_Process.svg.png)
![Thumb](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/d/d7/Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll_2.jpg/320px-Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll_2.jpg)
Wafer dihasilkan daripada bahan kristal tunggal yang sangat tulen (99.9999999% ketulenan)[2] dan hampir bebas cela.[2] Salah satu proses untuk menghasilkan wafer kristal dikenali sebagai proses Czochralski yang dicipta oleh ahli kimia Poland, Jan Czochralski. Dalam proses ini, jongkong berbentuk silinder semikonduktor monokristal berketulenan tinggi, seperti silikon dan germanium, dihasilkan dengan menarik satu kristal benih dari satu 'leburan'.[3][4] Atom bendasing penyumbang, seperti boron dan fosforus bagi kes silikon, boleh ditambahkan ke dalam bahan intrinsik lebur dalam jumlah yang tepat untuk mengedop kristal itu, lantas menukarkannya kepada semikonduktor ekstrinsik jenis-n atau jenis-p.
Jongkong ini kemudiannya dipotong dengan gergaji wafer (gergaji wayar) dan digilap untuk menghasilkan wafer.[5] Saiz wafer untuk fotovoltaik ialah 100-200 mm2 dan ketebalannya ialah 200-300 μm. Pada masa hadapan, 160 μm akan menjadi piawai ketebalan.[6] Peralatan-peralatan elektronik menggunakan saiz wafer di antara 100-300 mm diameter. (Wafer terbesar pernah dibuat mempunyai diameter 450 mm tetapi belum ada dalam pengeluaran.)
Pembersihan, penteksturan dan punaran
Wafer-wafer dibersihkan dengan asid lemah untuk membuang zarah-zarah tidak diingini, atau membaiki kerosakan yang terhasil sewaktu proses menggergaji. Apabila digunakan untuk sel suria, wafer-wafer diteksturkan untuk menghasilkan permukaan kasar untuk meningkatkan kecekapannya. PSG (kaca fosfosilikat) yang terhasil dikeluarkan daripada sisi wafer dalam punaran (etching).[7]
Lihat juga
- Silikon monokristal
- Epilapisan
- Epitaksi
- Simpang
- Lapisan (elektronik)
- Sel suria kos rendah
- Pemprosesan terma pantas
- Penulenan
- Pencetakan skrin
- Fon SEMI
- Wafer Silikon atas penebat (SOI)
- Panel suria
- Pembersihan RCA
- Peleburan
- Hukum Klaiber
- Pengikatan wafer
Rujukan
Pautan luar
Wikiwand in your browser!
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.