Mikrolegierungstransistor (engl. micro-alloy transistor, MAT)
Drifttransistor (engl. drift transistor), auch: (drift-field transistor, DFT) oder (graded-base transistor)
Oberflächensperrschichttransistor (engl. surface barrier transistor)
MAD-Transistor (engl. micro-alloy diffused transistor, MADT)
Diffusionstransistor (engl. diffusion transistor), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET****** PAD-Transistor (engl. post-alloy diffused transistor, PADT)
Peter A. Schmitt (Hrsg.): Langenscheidts Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Englisch – Deutsch. 2., bearbeitete Auflage. Langenscheidt Fachverlag, Berlin [u.a.] 2004, ISBN 3-86117-227-5 (eingeschränkte Vorschauin der Google-Buchsuche).
Erdmann F. Schubert, Albrecht Fischer, Klaus Ploog: The delta-doped field-effect transistor (δFET). In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632, doi:10.1109/T-ED.1986.22543.
Stanislas Teszner, R. Gicquel: Gridistor – A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. Bd. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502–1513, doi:10.1109/PROC.1964.3439.
Stephen Y. Chou, James S. Harris Jr., R. Fabian W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. Bd. 52, Nr. 23, 1988, S. 1982–1984, doi:10.1063/1.99656.
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