Фадзей Фадзеевіч Камароў (нар. 20 жніўня 1945, в. Галузы, Чавускі раён, Магілёўская вобласць) — беларускі фізік. Член-карэспандэнт Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі (1996), акадэмік НАН Беларусі (2021)[1], доктар фізіка-матэматычных навук (1983), прафесар (1984).
| Фадзей Фадзеевіч Камароў | |
|---|---|
| Дата нараджэння | 20 жніўня 1945 (79 гадоў) |
| Месца нараджэння | |
| Грамадзянства | |
| Род дзейнасці | навуковец, выкладчык універсітэта |
| Месца працы | |
| Навуковая ступень | доктар фізіка-матэматычных навук (1983) |
| Навуковае званне |
|
| Альма-матар |
|
| Прэміі |
 |
| Узнагароды | |
Біяграфія
Скончыў Магілёўскі педагагічны інстытут (1969). Вучыўся ў аспірантуры фізфака БДУ (1971—1974).
Працаваў стажорам-даследчыкам на фізічным факультэце БДУ (1969—1971). З 1974 года старшы навуковы супрацоўнік, у 1976—1981 гадах і з 1992 года загадчык лабараторыі, у 1981—1992 гадах намеснік дырэктара па навуковай рабоце НДІ прыкладных фізічных праблем ім. А. М. Сеўчанкі Беларускага дзяржаўнага універсітэта. Адначасова з 1982 года загадчык кафедры Беларускага дзяржаўнага ўніверсітэта[2].
Прэміі
Лаўрэат Дзяржаўнай прэміі Рэспублікі Беларусь (1998, разам з А. І. Белавусам, В. А. Сокалам, В. А. Емяльянавым, Э. Ф. Лабановічам, А. В. Сіліным) — за цыкл работ «Распрацоўка новых метадаў праектавання і развіццё фізіка-тэхналагічных асноў стварэння высокіх тэхналогій вытворчасці канкурэнтаздольных мікраэлектронных вырабаў», лаўрэат прэміі імя А. Н. Сеўчанкі (2005).
Навуковая дзейнасць
Навуковыя даследаванні ў галіне радыяцыйнай фізікі цвёрдага цела, мікраэлектронікі і рэнтгенаўскай оптыкі. Распрацаваў тэарэтычныя асновы фізікі іонна-прамянёвага легіравання матэрыялаў. Прапанаваў тэхналогію стварэння вырабаў электроннай тэхнікі з выкарыстаннем высокаінтэнсіўных іённых пучкоў, распрацаваў новыя метады атрымання звышцвёрдых, зноса — і каразійнастойкіх, каталітычна актыўных матэрыялаў. Прапанаваў фізічныя прынцыпы кіравання пучкамі жорсткіх рэнтгенаўскіх і гама-квантаў, стварыў элементы і сістэмы оптыкі жорсткіх квантаў. Даследаваў спектральна-вуглавыя характарыстыкі выпраменьвання каналіраваных рэлятывісцкіх часціц. Стварыў сістэму скразнога мадэлявання тэхналагічных працэсаў субмікроннай электронікі. Распрацаваў шэраг арыгінальных новых тэхналогій мікра- і нанаэлектронікі. Унёс уклад у станаўленне новых фізіка-тэхналагічных абласцей (глыбокая субмікронная электроніка і нанаэлектроніка, дэфектна-прымесная інжынерыя матэрыялаў, трэкавая нанаэлектронія, фізіка і тэхніка квантаваразмерных структур і прыбораў, структур з вугляроднымі нанатрубкамі).
Аўтар больш за 400 навуковых прац, у т. л. 15 манаграфій, 42 вынаходстваў.
Бібліяграфія
- Tables of Ion Implantation Spatial Distributions. N.Y. etc.: Harwood Academic, 1986 (в соавт.).
- Non-destructive Analysis of Solid Surfaces by Ion Beams. N.Y. etc.: Gordon & Breach Science Publishers, 1990 (в соавт.).
- Ion Beam Modification of Metals. N.Y.: Taylor & Francis, 1992 (with Curtis P.).
- Radiation from Charged Particles in Solids. Berlin: Springer, 1997 (в соавт.).
Зноскі
Літаратура
Спасылкі
Wikiwand in your browser!
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.
