納米電子學 （英語：Nanoelectronics 納米科技 在電子元件 （特別是電晶體 等）中應用。雖然普遍認為「納米科技」是使用低於100納米 的製程水平，納米電子學還是常用於代指特徵尺寸很小的電子元件，在這些元件中，原子間相互作用和粒子的量子力學 效應不可忽略。其結果是，當前研究的一些電子元件並沒有完全滿足納米科技的定義，不過仍然有許多尖端的元件技術能夠達到45納米、32納米甚至22納米製程水平。
計算機仿真展現的納米線MOSFET中反型通道的形成（電子密度的變化）。閾值電壓在0.45V左右。 納米電子學有時被視為破壞性創新 ，這是因為它研究的元件產品於傳統的電晶體差異很大。目前一些研究的對象有：混合分子半導體電子學、一維奈米碳管 、納米線 以及高級的分子電子學 、 單原子納米電子學 [ 1]
麻省理工學院官網首頁報道唐-崔瑟豪斯理論 (Tang-Dresselhaus Theory) 對不同尺度體系中電子輸運性質的描述 納米元件中的電子輸運機制是相應電子元件研發和製造的關鍵。納米尺度下，電子輸運可以是 擴散輸運 、彈道輸運 和 量子躍遷 的複雜組合。根據達尼爾∙羅德於貝爾實驗室 提出的羅德理論[ 2] [ 3] 唐爽 和崔瑟豪斯夫人 於麻省理工學院 提出的唐-崔瑟豪斯理論 [ 4] [ 5] [ 6] [ 7] [ 8] 熵 變最大值推知，而此最大值可以通過熱功率測得。
Achilli, Simona; Le, Nguyen H.; Fratesi, Guido; Manini, Nicola; Onida, Giovanni; Turchetti, Marco; Ferrari, Giorgio; Shinada, Takahiro; Tanii, Takashi; Prati, Enrico. Position-Controlled Functionalization of Vacancies in Silicon by Single-Ion Implanted Germanium Atoms . Advanced Functional Materials. February 2021, 31 (21): 2011175 [2022-07-10 ] . arXiv:2102.01390v2 doi:10.1002/adfm.202011175 存檔 於2022-07-10）. Tang, Shuang; Dresselhaus, Mildred. New Method to Detect the Transport Scattering Mechanisms of Graphene Carriers. 2014. arXiv:1410.4907 Tang, Shuang. Extracting the Energy Sensitivity of Charge Carrier Transport and Scattering. Scientific Reports. 2018, 8 : 10597. doi:10.1038/s41598-018-28288-y Xu, Dongchao. Detecting the major charge-carrier scattering mechanism in graphene antidot lattices. Carbon. 2019, 144 : 601–607. doi:10.1016/j.carbon.2018.12.080 Tang, Shuang. Inferring the energy sensitivity and band gap of electronic transport in a network of carbon nanotubes. Scientific Reports. 2022, 12 : 2060. doi:10.1038/s41598-022-06078-x
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