氮化鋁銦鎵

氮化鋁銦鎵（AlGaInN）是以氮化鎵為基礎的化合物半導體，是氮化鎵、氮化鋁、氮化銦的混合物，常用磊晶成長的方式製成，像是有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脈衝激光沉積（PLD）等方式^{[來源請求]}。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。透過調整鋁、銦、鎵的比例，可以調整其能隙等參數。

氮化鋁銦鎵
性質
化學式	AlxGayInzN（0<x,y,z<1）
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

安全性和毒性

有關氮化鋁銦鎵的毒性目前尚未完全研究。其粉末會刺激皮膚、眼睛和肺部。有關氮化鋁銦鎵製備原料（像三甲基銦、三甲基鎵和氨）的環境、健康及安全（英語：environment, health and safety）議題以及標準有機金屬化學氣相沉積法來源的工業衛生監控，目前已有文獻回顧^[1]。

相關條目

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參考資料

1. D V Shenai-Khatkhate; R Goyette; R L DiCarlo; G Dripps. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 1–4 (1–4): 816–821. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.

外部連結

• E. Fred Schubert. Light-Emitting Diodes. Cambridge University Press. 2012-09-05 [2024-12-05]. ISBN 9780511790546. 引文格式1維護：日期與年 (link)（13 - The AlGaInN material system and ultraviolet emitters）