氮化鋁銦鎵（AlGaInN）是以氮化鎵為基礎的化合物半導體，是氮化鎵、氮化鋁、氮化銦的混合物，常用磊晶成長的方式製成，像是有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脈衝激光沉積（PLD）等方式[來源請求]。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。
 | 此條目沒有列出任何參考或來源。 (2024年12月4日) |
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| 氮化鋁銦鎵 | |
|---|---|
| 性質 | |
| 化學式 | AlxGayInzN（0<x,y,z<1） |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
相關條目
- 氮化銦鎵
- 氮化鋁鎵
- 氮化鋁銦
參考資料
外部連結
- E. Fred Schubert. Light-Emitting Diodes. Cambridge University Press. 2012-09-05 [2024-12-05]. ISBN 9780511790546.（13 - The AlGaInN material system and ultraviolet emitters）
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