矽醚是含有矽原子與烷氧基以共價鍵鍵合的一類化合物。其通式為:R1R2R3Si−O−R4,其中R4為烷基取代基或芳基取代基。矽醚在有機合成當中常用於醇的保護基。R1R2R3基團可以是不同的烴基基團,因此可組合成多樣的矽醚。矽醚化合物在保護基化學當中有非常廣泛的應用,常用的矽醚有:三甲基矽基 (TMS),叔丁基二苯基矽基(TBDPS),叔丁基二甲基矽基(TBS/TBDMS)和三異丙基矽基(TIPS)。
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形成
製備矽醚的方法很多,但大多可遵循兩種策略:醇與氯矽烷在胺作鹼的條件下室溫反應,或醇與三氟甲磺酸矽酯在大位阻鹼的條件下低溫反應。三氟甲磺酸矽酯比起相應的氯矽烷活性更強,因此常使用三氟甲磺酸矽酯保護位阻較大的羥基。另一種非常可靠且快捷的方法是Corey法,即咪唑作鹼將醇與氯矽基在二甲基甲酰胺(DMF)溶劑中高濃度反應[1]。
如果使用二氯甲烷代替DMF作為溶劑,反應速率會相對降低但更易於純化產物。使用三氟甲磺酸矽酯取代時,常用的大位阻鹼是2,6-二甲基吡啶[2],伯醇的矽醚保護通常在一小時內可反應完全,而大位阻的醇反應完全則常需要幾天時間。
當使用氯矽烷進行取代時對於反應條件通常不苛刻,只需避免在反應中引入大量的水。過量的氯矽烷可加速反應進程但並非必須。若使用了大量的矽代試劑,後處理則需要使用色譜法進行分離純化,以去除過量的矽醇和矽氧烷化合物。三氟甲磺酸矽酯是一類水敏感化合物,因此必須在惰性氣體保護下進行反應,後處理通常需要使用酸性水溶液如飽和氯化銨溶液進行淬滅。這種淬滅法能夠不破壞矽試劑而質子化胺鹼,讓其移除反應體系。最後進行萃取操作並進行柱層析純化。
三氟甲磺酸矽酯活性很強,甚至可以轉化酮成為矽基烯醇醚化合物。
矽醚保護基的脫除
當不需要矽醚保護時,可使用酸或者氟試劑如四正丁基氟化銨進行保護基的脫除[3]。通常矽醚取代基體積越大抵禦水解能力越強,但引入這種取代基相對越困難[4]。
在酸性體系中,矽醚的相對穩定性如下(參見上述參考文獻):
- TMS (1) < TES (64) < TBS (20 000) < TIPS (700 000) < TBDPS (5 000 000)
在鹼性體系中,矽醚的相對穩定性如下(參見上述參考文獻):
- TMS (1) < TES (10-100) < TBS~TBDPS (20 000) < TIPS (100 000)
對稱二醇的單保護
對稱二醇的單矽醚化理論上是可行的,但實際操作中存在着諸多問題。報道的單矽取代反應舉例如下:[5]
單取代反應的主要問題在於這類反應難於重複。如果反應僅是熱力學控制的,且雙負離子的活性與單負離子相近,那麼相應得到的混合產物(雙取代:單取代:非取代原料)的比例應為:1:2:1。而如果使用四氫呋喃作溶劑,反應會受到溶劑對雙負離子的脫質子化的影響,它包括了:動力學因素影響以及溶劑對於單負離子的溶解度較低的影響。反應初始加入TBSCl時,溶液中只會溶解少量的單負離子而其餘的則無法溶解形成懸浮液。僅僅這部分溶解的單負離子參與反應,而使得反應平衡向形成更多單負離子的方向移動,最後允許反應得到較高收率的單取代-TBS的產物。有使用正丁基鋰作鹼而取得更好收率的例子[6]:
第三種方法是使用DMF與DIPEA的混合物體系進行反應[7]。
另一種策略是使用過量的二醇進行反應,如使用4.0當量迫使反應朝着單取代的方向進行。
選擇性脫保護
選擇性的脫矽基保護在許多情況下是可行的,例如:[8]。
矽醚之間的區別主要基於位阻及電性的不同。總的來講,酸性條件脫除位阻較小的矽基團相對更快,而位阻較大的矽基團則因為氧原子上具有很大的空間保護而不易脫除。基於氟的脫保護對於缺電子的矽基團則快於富電子的矽基團。有一些證據表明,矽基脫保護過程是通過高價矽物種進行的。
雖然選擇性脫去矽醚保護可通過諸多條件,但以下列舉的一些條件相對較可靠。若兩種矽取代基存在着較大的位阻區別則選擇性脫除相對更易成功,如:一級TBS與二級TBS或一級TES與一級TBS,或電性有區別,如:一級TBDPS與一級TBS。雖然如此,但有些時候反覆的優化條件是不可避免的,有時甚至需要脫去保護重新回收原料。
一些常用的酸性條件:
- 100 mol% 10-CSA(樟腦磺酸)的甲醇溶液,室溫;反應十分鐘可脫除一級的TBS保護基。
- 10 mol% 10-CSA,1:1體積比的甲醇:二氯甲烷,−20或0°C;0攝氏度下反應2個小時脫除一級TBS保護基;若使用PPTS(對甲苯磺酸吡啶鹽)代替CSA,則速率降低十倍;而使用pTsOH(對甲苯磺酸)則速率提高10倍。
- 4:1:1(v/v/v)乙酸:四氫呋喃:水的溶劑體系下室溫反應,反應速率很慢但選擇性很好。
一些常用的鹼性條件:
參考文獻
外部連結
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