磷化铟

磷化铟
别名	Indium(III) phosphide
识别
CAS号	22398-80-7
PubChem	31170
ChemSpider	28914
SMILES	[In]#P;
InChI	1/In.P/rInP/c1-2;
InChIKey	GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
性质
化学式	InP
摩尔质量	145.792 g·mol⁻¹
外观	黑色立方晶体
密度	4.81 g/cm3（固体时）
熔点	1062 °C（1335 K）
溶解性	微溶于酸
能隙	1.344(300 K，直接带隙) eV
电子迁移率	5400 cm2/(V·s) (300 K)
热导率	0.68 W/(cm·K) (300 K)
折光度n; D	3.1 (红外线); ; 3.55 (632.8 nm)
结构
晶体结构	闪锌矿结构
晶格常数	a = 5.8687 Å
配位几何	四面体
热力学
ΔfHm⦵298K	-88.7 kJ/mol
S⦵298K	59.8 J/(mol·K)
热容	45.4 J/(mol·K)
危险性
MSDS	External MSDS
欧盟编号	未列出
主要危害	有毒，会水解为磷化氢
相关物质
其他阴离子	氮化铟; 砷化铟; 锑化铟（英语：Indium antimonide）
其他阳离子	磷化铝; 磷化镓
相关化学品	磷化铟镓; 磷化铝镓铟（英语：Aluminium gallium indium phosphide）; 砷锑磷化镓铟（英语：en:Gallium indium arsenide antimonide phosphide）
	若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

磷化铟（Indium phosphide，InP）是由磷和铟组成的二元半导体材料，磷化铟和砷化镓及大部份的三五族半导体相同，都是面心立方（闪锌矿）晶体结构。

Quick Facts 磷化铟, 识别 ...

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磷化铟可由白磷及碘化铟在400 °C下反应来制备^[5]。

磷化铟因为电子速率较常见的矽半导体及砷化镓都要高，可用在高功率高频的电子电路中。磷化铟因为有直接带隙（英语：direct bandgap），适合作像雷射二极体等光电工程元件。磷化铟也用在铟镓砷（英语：indium gallium arsenide）为基础的光电元件中的磊晶基板。

在面心立方（闪锌矿）晶体结构的化合物中，磷化铟有最长寿命的光学声子^[6]。

[1]
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[2]
Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
[3]
Basic Parameters of InP. [2015-09-12]. （原始内容存档于2015-09-24）.
[4]
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[5]
Indium Phosphide at HSDB. [2020-09-15]. （原始内容存档于2016-01-06）.
[6]
Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073.

制备