磷化镓

磷化镓
	IUPAC名; gallanylidynephosphane
识别
CAS号	12063-98-8
PubChem	82901
ChemSpider	74803
SMILES	[Ga]#P;
InChI	1/Ga.P/rGaP/c1-2;
InChIKey	HZXMRANICFIONG-ZZOGKRAHAQ
RTECS	LW9675000
性质
化学式	GaP
摩尔质量	100.697 g·mol⁻¹
外观	淡橙色固体
气味	无味
密度	4.138 g/cm3
熔点	1477 °C（1750 K）
溶解性（水）	不溶于水
能隙	2.26 eV (300 K) eV
电子迁移率	250 cm2/(V*s) (300 K)
热导率	1.1 W/(cm*K) (300 K)
折光度n; D	3.02 (2.48 µm), 3.19 (840 nm), 3.45 (550 nm), 4.30 (262 nm)
结构
晶体结构	闪锌矿
空间群	T2d-F-43m
晶格常数	a = 545.05 pm
配位几何	四面体
危险性
NFPA 704	1 3 1
相关物质
其他阴离子	氮化镓; 砷化镓; 锑化镓
其他阳离子	磷化铝; 磷化铟
	若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

磷化镓（Ga P）是镓的磷化物，是无机化合物，也是半导体材料，其间接能隙为2.26eV（300K）。其多晶的材料为淡橙色。未掺入杂质的单晶芯片会是透明的橙色，但大量掺入杂质的芯片因为吸收自由电子，其颜色会变深。磷化镓无味，不会溶于水。

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若要变成N型半导体，需要掺杂硫或是碲，若要制作P型半导体，需要掺杂锌。

磷化镓常用在光学系统中，其折射率在波长262 nm (UV)时为4.30，波长550 nm (green)时为3.45，波长840 nm(IR)时为3.19^[1]。

自1960年代起，磷化镓就会用来做低价的红色、绿色及橘色发光二极管，亮度低至中等都有。在大电流时其寿命较短，其寿命对温度也相当敏感，一般会独立使用，或是配合磷砷化镓（英语：Gallium arsenide phosphide）使用。

纯的磷化镓会发波长555 nm的绿光，掺杂氮的会发出波长565 nm的黄绿光，掺杂氧化锌的会发红光(700 nm)。

磷化镓会被黄光及红光穿透，因此磷化镓为基板的磷砷化镓会比以砷化镓为基板的要好。

在温度到900 °C时，磷化镓会分解，并且磷会以气体方式离开。在LED芯片成长时，温度会到1500度，为避免前叙情形，需将磷密封在熔化的氧化硼中，并用10-100大气压力的不活性气体加压。此程序称为液体密封切克劳斯基法（LEC），是硅芯片制程中柴可拉斯基法的变形。

发光二极管

磷化镓

IUPAC名 gallanylidynephosphane
识别
CAS号	12063-98-8 ^Y
PubChem	82901
ChemSpider	74803
SMILES	[Ga]#P
InChI	1/Ga.P/rGaP/c1-2
InChIKey	HZXMRANICFIONG-ZZOGKRAHAQ
RTECS	LW9675000
性质
化学式	GaP
摩尔质量	100.697 g·mol⁻¹
外观	淡橙色固体
气味	无味
密度	4.138 g/cm³
熔点	1477 °C（1750 K）
溶解性（水）	不溶于水
能隙	2.26 eV (300 K) eV
电子迁移率	250 cm²/(V*s) (300 K)
热导率	1.1 W/(cm*K) (300 K)
折光度n D	3.02 (2.48 µm), 3.19 (840 nm), 3.45 (550 nm), 4.30 (262 nm)
结构
晶体结构	闪锌矿
空间群	T²_d-F-43m
晶格常数	a = 545.05 pm
配位几何	四面体
危险性
NFPA 704	1 3 1
相关物质
其他阴离子	氮化镓砷化镓锑化镓
其他阳离子	磷化铝磷化铟
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。