Карбид кремния

Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, в микроэлектронике (в силовых установках электроавтомобилей), для имитирующих алмаз вставок в ювелирные украшения.

Карбид кремния
Общие
Хим. формула	SiC
Физические свойства
Состояние	кристаллы, друзы или кристаллические порошки от прозрачного белого, жёлтого, зелёного или тёмно-синего до чёрного цветов, в зависимости от чистоты, дисперсности, аллотропных и политипных модификаций.
Молярная масса	40,0962 г/моль
Плотность	3,21 г/см³[1]
Твёрдость	9,5
Энергия ионизации	9,3 ± 0,1 эВ[2]
Термические свойства
Температура
• плавления	(с разл.) 2730 °C
• сублимации	4892 ± 1 ℉[2]
Давление пара	0 ± 1 мм рт.ст.[2]
Химические свойства
Растворимость
• в воде	нерастворим
• в кислотах	нерастворим
Оптические свойства
Показатель преломления	2,55[3]
Классификация
Рег. номер CAS	409-21-2
PubChem	9863
Рег. номер EINECS	206-991-8
SMILES	[C-]#[Si+]
InChI	InChI=1S/CSi/c1-2 HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N
RTECS	VW0450000
ChEBI	29390
ChemSpider	9479
Безопасность
NFPA 704	0 1 0
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
Медиафайлы на Викискладе

Открытие и начало производства

Повторение эксперимента Г. Д. Раунда

О ранних, не систематических и часто непризнанных синтезах карбида кремния сообщали Деспретз (фр. César Despretz; 1849), Марсден (англ. Robert Sydney Marsden; 1880) и Колсон (Albert Colson; 1882 год)^[4]. Широкомасштабное производство начал Эдвард Гудрич Ачесон в 1893 году. Он запатентовал метод получения порошкообразного карбида кремния 28 февраля 1893 года^[5]. Ачесон также разработал электрическую печь, в которой карбид кремния создаётся до сих пор. Он основал компанию The Carborundum Company для производства порошкообразного вещества, которое первоначально использовалось в качестве абразива^[6].

Исторически первым способом использования карбида кремния было использование в качестве абразива. За этим последовало применение и в электронных устройствах. В начале XX века карбид кремния использовался в качестве детектора в первых радиоприемниках^[7]. В 1907 году Генри Джозеф Раунд создал первый светодиод, подавая напряжение на кристаллы SiC и наблюдая за жёлтым, зелёным и оранжевым излучением на катоде. Эти эксперименты были повторены О. В. Лосевым в СССР в 1923 году^[8].

Формы нахождения в природе

Монокристалл муассанита (~1 мм в размере)

Природный карбид кремния — муассанит можно найти только в ничтожно малых количествах в некоторых типах метеоритов и в месторождениях корунда и кимберлита. Практически любой карбид кремния, продаваемый в мире, в том числе и в виде муассанитового украшения, является синтетическим. Природный муассанит был впервые обнаружен в 1893 году в виде небольших шестиугольных пластинчатых включений в метеорите Каньон Диабло в Аризоне Фердинандом Анри Муассаном, в честь которого и был назван минерал в 1905 году^[9]. Исследование Муассана о естественном происхождении карбида кремния было изначально спорным, потому что его образец мог быть загрязнён крошкой карбида кремния от пилы (в то время пилы уже содержали данное вещество)^[10].

Хоть карбид кремния и является редким веществом на Земле, он широко распространён в космосе. Это вещество встречается в пылевых облаках вокруг богатых углеродом звёзд, также его много в первозданных, не подвергшихся изменениям, метеоритах (почти исключительно в форме бета-полиморфа). Анализ зёрен карбида кремния, найденных в углеродистом хондритовом метеорите Мёрчисон, показал аномальное изотопное соотношение углерода и кремния, что указывает на происхождение данного вещества за пределами Солнечной системы: 99 % зёрен SiC образовалось около богатых углеродом звёзд, принадлежащих к асимптотической ветви гигантов^[11]. Карбид кремния можно часто обнаружить вокруг таких звёзд по их ИК-спектрам^[12].

Производство

Из-за редкости нахождения в природе муассанита карбид кремния, как правило, имеет искусственное происхождение. Простейшим способом производства является спекание кремнезёма с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1600—2500 °C:

${\displaystyle {\ce {SiO2{}+3C->[1600{-}2500~^{\circ }{\text{C}}]SiC{}+2CO\uparrow }}}$

Синтетические кристаллы SiC ~3 мм в диаметре

Чистота карбида кремния, образующегося в печи Ачесона, зависит от расстояния до графитового резистора в ТЭНе.

Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-жёлтого и зелёного цвета находятся ближе всего к резистору. На большем расстоянии от резистора цвет изменяется на синий или чёрный из-за примесей. Загрязнителями чаще всего являются азот и алюминий, они влияют на электропроводность полученного материала^[13].

Кристаллы карбида кремния, полученные благодаря процессу Лели^[англ.]

Чистый карбид кремния можно получить с помощью так называемого процесса Лели^{[англ.][14]}, в котором порошкообразный SiC возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более холодной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов размерами до 2 см × 2 см. Этот процесс даёт высококачественные монокристаллы, получающиеся из-за быстрого нагрева до высоких температур и в основном состоящие из 6H-SiC фазы. Улучшенный процесс Лели при участии индукционного нагрева в графитовых тиглях даёт ещё большие монокристаллы до 10 см в диаметре^[15]. Кубический SiC, как правило, выращивается с помощью более дорогостоящего процесса — химического осаждения паров^[13][16].

Чистый карбид кремния также может быть получен путём термического разложения полимера полиметилсилана (SiCH₃)_n, в атмосфере инертного газа при низких температурах. Относительно CVD-процесса метод пиролиза более удобен, поскольку из полимера можно сформировать изделие любой формы перед запеканием в керамику^{[17][18][19][20]}.

Структура и свойства

• Структуры основных политипов SiC
• 
  (β)3C-SiC
• 
  4H-SiC
• 
  (α)6H-SiC

Известно примерно 250 кристаллических форм карбида кремния^[21]. Полиморфизм SiC характеризуется большим количеством схожих кристаллических структур, называемых политипами. Они являются вариациями одного и того же химического соединения, которые идентичны в двух измерениях, но отличаются в третьем. Таким образом, их можно рассматривать как слои, сложенные в стопку в определённой последовательности^[22].

Альфа-карбид кремния (α-SiC) является наиболее часто встречающимся полиморфом. Эта модификация образуется при температуре свыше 1700 °C и имеет гексагональную решётку, кристаллическая структура типа вюрцита.

Бета-модификация (β-SiC), с кристаллической структурой типа цинковой обманки (аналог структуры алмаза), образуется при температурах ниже 1700 °C^[23]. До недавнего времени бета-форма имела сравнительно небольшое коммерческое использование, однако в настоящее время в связи с использованием его в качестве гетерогенных катализаторов интерес к ней увеличивается. Нагревание бета-формы до температур свыше 1700 °C способно приводить к постепенному переходу кубической бета-формы в гексагональную (2Н, 4Н, 6Н, 8Н) и ромбичеcкую (15R).^[24] При повышении температуры и времени процесса все образующиеся формы переходят в конечном итоге в гексагональный альфа-политип 6Н.^[25]

Свойства основных политипов карбида кремния^[26][27]

Политип	3C (β)	4H	6H (α)
Кристаллическая структура	Кубическая	Гексагональная	Гексагональная
Пространственная группа	${\displaystyle T_{d}^{2}-F43m}$	${\displaystyle C_{6v}^{4}-P6_{3}mc}$	${\displaystyle C_{6v}^{4}-P6_{3}mc}$
Символ Пирсона	cF8	hP8	hP12
Постоянные решётки (Å)	4,3596	3,0730; 10,053	3,0810; 15,12
Плотность (г/см3)	3,21	3,21	3,21
Ширина запрещённой зоны (эВ)	2,36	3,23	3,05
МОС (ГПа)	250	220	220
Теплопроводность (Вт/(см·К))	3,6	3,7	4,9

Чистый карбид кремния бесцветен. Его оттенки от коричневого до чёрного цвета связаны с примесями железа. Радужный блеск кристаллов обусловливается тем, что при контакте с воздухом на их поверхности образуется плёнка из диоксида кремния, что приводит к пассивированию внешнего слоя.

Карбид кремния является весьма инертным химическим веществом: практически не взаимодействует с большинством кислот, кроме концентрированных фтористоводородной (плавиковой), азотной и ортофосфорной кислот. Способен выдерживать нагревание на открытом воздухе до температур порядка 1500 °C. Карбид кремния не плавится при любом известном давлении, но способен сублимировать при температурах свыше 1700 °C. Высокая термическая устойчивость карбида кремния делает его пригодным для создания подшипников и частей оборудования для высокотемпературных печей.

Существует большой интерес в использовании данного вещества в качестве полупроводникового материала в электронике, где высокая теплопроводность, высокое электрическое напряжение пробоя и высокая плотность электрического тока делают его перспективным материалом для высокомощных устройств^[28], в том числе при создании сверхмощных светодиодов. Карбид кремния имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0⋅10⁻⁶ K⁻¹) и в достаточно широком температурном диапазоне эксплуатации не испытывает фазовых переходов (в том числе фазовых переходов второго рода), из-за которых может произойти разрушение монокристаллов^[13].

Электропроводность

Карбид кремния является полупроводником, тип проводимости которого зависит от примесей. Проводимость n-типа получается при легировании азотом или фосфором, а p-тип — с помощью алюминия, бора, галлия или бериллия^[3]. Металлическая проводимость была достигнута за счёт сильного легирования бором, алюминием и азотом.

Сверхпроводимость была обнаружена в политипах 3C-SiC:Al, 3C-SiC:B и 6H-SiC:B при одинаковой температуре — 1,5 К^[29].

Физические свойства

Карбид кремния является твёрдым, тугоплавким веществом. Кристаллическая решётка аналогична решётке алмаза. Является полупроводником.^[30]

• Стандартная энтальпия образования (298 К): −66,1 кДж/моль^[31].
• Стандартная энергия Гиббса образования (298 К): −63,7 кДж/моль^[31].
• Стандартная энтропия образования (298 К): 16,61 Дж/(моль·K)^[31].
• Стандартная мольная теплоемкость (298 К): 26,86 Дж/(моль·K)^[31].
• Характер кристаллической решётки: атомный. Энергия кристаллической решётки: 299 ккал/(г·форм^{[прояснить]})^[32].

Химические свойства

По типу химической связи карбид кремния относится к ковалентным кристаллам. Доля ионной связи, обусловленной некоторым различием в электроотрицательностях атомов Si и C, не превышает 10—12 %. Энергия ковалентной связи между атомами кремния и углерода в кристаллах SiC почти в три раза превышает энергию связи между атомами в кристаллах кремния. Благодаря сильным химическим связям карбид кремния выделяется среди других материалов высокой химической и радиационной стойкостью, температурной стабильностью физических свойств, большой механической прочностью и высокой твёрдостью. В инертной атмосфере карбид кремния разлагается только при очень высокой температуре:

${\displaystyle {\ce {SiC->[2830~^{\circ }{\text{C}}]Si{}+C}}}$.

Сильно перегретый пар разлагает карбид кремния:

${\displaystyle {\ce {SiC{}+2H2O->[1300~^{\circ }{\text{C}}]SiO2{}+CH4\uparrow }}}$.

Концентрированные кислоты и их смеси растворяют карбид кремния:

${\displaystyle {\ce {3 SiC + 8 HNO3 -> 3 SiO2 + 3 CO2 ^ + 8 NO ^ + 4 H2O,}}}$

${\displaystyle {\ce {3 SiC + 18 HF + 8 HNO3 -> 3 H2[SiF6] + 3 CO2 ^ + 8 NO ^ + 10 H2O}}}$.

В присутствии кислорода щёлочи растворяют карбид кремния:

${\displaystyle {\ce {SiC + 2 NaOH + 2 O2 -> Na2SiO3 + CO2 ^ + H2O,}}}$

${\displaystyle {\ce {SiC{}+4NaOH{}+2O2->[>350~^{\circ }{\text{C}}]Na2SiO3{}+Na2CO3{}+2H2O}}}$.

При нагревании реагирует с кислородом:

${\displaystyle {\ce {2SiC{}+3O2->[950{-}1700~^{\circ }{\text{C}}]2SiO2{}+2CO\uparrow ,}}}$

с галогенами:

${\displaystyle {\ce {SiC{}+2Cl2->[600{-}1200~^{\circ }{\text{C}}]SiCl4{}+C,}}}$

с азотом, образуя нитрид кремния:

${\displaystyle {\ce {6SiC{}+7N2->[1000{-}1400~^{\circ }{\text{C}}]2Si3N4{}+3C2N2,}}}$

с активными металлами:

${\displaystyle {\ce {2SiC{}+5Mg->[700~^{\circ }{\text{C}}]2Mg2Si{}+MgC2,}}}$

и их пероксидами:

${\displaystyle {\ce {SiC{}+4Na2O2->[700{-}800~^{\circ }{\text{C}}]Na2SiO3{}+Na2CO3+2Na2O}}}$.

Применение

Абразивные и режущие инструменты

Режущие диски из карбида кремния

В современной гранильной мастерской карбид кремния является популярным абразивом из-за его прочности и низкой стоимости. В обрабатывающей промышленности из-за его высокой твёрдости он используется в абразивной обработке в таких процессах как шлифование, хонингование, водоструйная резка и пескоструйная обработка. Частицы карбида кремния ламинируются на бумагу для создания шлифовальной шкурки^[33].

Суспензии мелкодисперсных порошков карбида кремния в масле, глицерине или этиленгликоле используются в процессе проволочной резки полупроводниковых монокристаллов на пластины.

В 1982 году случайно был обнаружен композит, состоящий из оксида алюминия и карбида кремния, кристаллы которого растут в виде очень тонких нитей^[34].

Конструкционные материалы

Карбид кремния используется в качестве лицевого слоя композитной секции противопулевого бронежилета

Карбид кремния наряду с карбидом вольфрама и другими износостойкими материалами применяется для создания торцевых механических уплотнений.

В 1980-х и 1990-х годах карбид кремния исследовался в нескольких научно-исследовательских программах разработки высокотемпературных газовых турбин в США, Японии и Европе. Планировалось, что разработанные компоненты из карбида кремния заменят рабочие и сопловые лопатки турбин из никелевых жаропрочных сплавов. Тем не менее, ни один из этих проектов не привёл к промышленному производству, в основном из-за низкого сопротивления ударным нагрузкам и низкой вязкости разрушения карбида кремния^[35].

Подобно другим высокотвёрдым керамическим материалам (оксид алюминия и карбид бора), карбид кремния используется как компонент композитной брони, применяемой для защиты вооружения и военной техники, а также в виде составного элемента слоистой брони керамика/органопластик противопульных жилетов. В бронежилете «Шкура дракона», созданном компанией Pinnacle Armor, используются диски из карбида кремния^[36].

Автомотодетали

Углерод-керамические (карбид кремния) дисковые тормоза Porsche Carrera GT

Инфильтрованый кремний в материале «композит углерод-углерод» используется для производства высококачественных «керамических» дисковых тормозов, так как способен выдерживать экстремальные температуры. Кремний вступает в реакцию с графитом в «композите углерод-углерод», становясь армированным углеродным волокном карбида кремния (C/SiC). Диски из этого материала используются на некоторых спортивных автомобилях, в том числе Porsche Carrera GT, Bugatti Veyron, Chevrolet Corvette ZR1, Bentley, Ferrari, Lamborghini^[37]. Карбид кремния используется также в спечённых формах в дизельных фильтрах для очистки от твёрдых частиц^{[38][уточнить]}.

Электроника и электротехника

Первыми электрическими устройствами из SiC были нелинейные элементы варисторы и вентильные разрядники (см. также: тирит, вилит, лэтин, силит) для защиты электроустановок от перенапряжений. Карбид кремния в разрядниках применяется в виде материала вилита — смеси SiC и связующего. Варистор обладает высоким сопротивлением до тех пор, пока напряжение на нём не достигнет определённого порогового значения V_T, после чего его сопротивление падает до более низкого уровня и поддерживает это значение, пока приложенное напряжение не упадёт ниже V_T^[39].

Электронные приборы

Светодиод

Карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и в высокотемпературных тиристорах^[40]. По сравнению с приборами на основе кремния и арсенида галлия приборы из карбида кремния имеют следующие преимущества:

• в несколько раз большая ширина запрещённой зоны;
• в 10 раз большая электрическая прочность;
• высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C);
• теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия;
• устойчивость к воздействию радиации;
• стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Из почти 250 модификаций карбида кремния только две применяются в полупроводниковых приборах — 4H-SiC и 6H-SiC.

Проблемы с сопряжением элементов, основанных на диоксиде кремния, препятствуют развитию n-МОП транзисторов и IGBT, основанных на карбидокремнии. Другая проблема заключается в том, что сам SiC пробивается при высоких электрических полях в связи с образованием цепочек дефектов упаковки, но эта проблема может быть решена совсем скоро^{[прояснить][41]}.

История светодиодов из SiC весьма примечательна: впервые свечение в SiC было обнаружено Х. Роундом в 1907 году. Первые коммерческие светодиоды были также на основе карбида кремния. Жёлтые светодиоды из 3C-SiC были изготовлены в СССР в 1970-х годах^[42], а синие (из 6H-SiC) по всему миру — в 1980-х годах^[43]. Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10—100 раз более яркую эмиссию. Эта разница в эффективности связана с неблагоприятной непрямой запрещённой зоной SiC, в то время как нитрид галлия имеет прямую запрещённую зону, которая способствует увеличению интенсивности свечения. Тем не менее, SiC по-прежнему является одним из важных компонентов светодиодов — это популярная подложка для выращивания устройств из нитрида галлия, также он служит теплораспределителем в мощных светодиодах^[43].

Астрономия и точная оптика

Жесткость, высокая теплопроводность и низкий коэффициент теплового расширения делают карбид кремния термостабильным материалом в широком диапазоне рабочих температур. Это обуславливает широкое применение карбидкремниевых матриц для изготовления зеркальных элементов в различных оптических системах, например, в астрономических телескопах или в системах передачи энергии с использованием лазерного излучения. Развитие технологий (химическое осаждение паров) позволяет создавать диски из поликристаллического карбида кремния до 3,5 метров в диаметре. Заготовки зеркал могут формироваться различными методами, включая прессование чистого мелкого порошка карбида кремния под высоким давлением. Несколько телескопов (например, Gaia) уже оснащены оптикой из карбида кремния, покрытого алюминием^[44][45].

Пирометрия

Изображения теста пирометрии. Высота пламени 7 см

Волокна из карбида кремния используются для измерения температуры газов оптическим методом, называемым тонкой пирометрией накаливания. При измерении тонкие нити (диаметр 15 мкм) из карбида кремния вводят в зону измерения. Волокна практически не влияют на процесс горения, а их температура близка к температуре пламени. Таким методом может быть измерена температура в диапазоне 800—2500 K^[46][47].

Нагревательные элементы

Первые упоминания об использовании карбида кремния для изготовления нагревательных элементов относятся к началу 20 века, когда они были изготовлены The Carborundum Company в США и EKL в Берлине^{[источник не указан 3845 дней]}.

В настоящее время карбид кремния является одним из типичных материалов для изготовления нагревательных элементов, способных работать при температурах до 1400 °C на воздухе и до 2000 °C в нейтральной или восстановительной среде^{[источник не указан 3845 дней]}, что заметно выше, чем доступно для многих металлических нагревателей^{[источник не указан 3845 дней]}.

Нагревательные элементы из карбида кремния используются при плавлении цветных металлов и стекла, при термической обработке металлов, флоат-стекла, при производстве керамики, электронных компонентов и т. д.^[48]

Ядерная энергетика

Благодаря высокой устойчивости к воздействию внешних неблагоприятных факторов, включая природные, высокой прочности и твёрдости, низкому коэффициенту теплового расширения и низкому коэффициенту диффузии примесей и продуктов деления реакционноспечённый карбид кремния нашёл применение в ядерной энергетике^[49].

Карбид кремния, наряду с другими материалами, используется в качестве слоя из триструктурально-изотропного покрытия для элементов ядерного топлива в высокотемпературных реакторах, в том числе в газоохлаждаемых реакторах^{[источник не указан 658 дней]}.

Из карбида кремния изготавливаются пеналы для длительного хранения и захоронения ядерных отходов^{[источник не указан 658 дней]}.

Ювелирные изделия

Кольцо с синтетическим муассанитом

Как ювелирный камень карбид кремния используется в ювелирном деле под названием «синтетический муассанит» или просто «муассанит». Муассанит похож на алмаз: он прозрачен и твёрд (9—9,5 по шкале Мооса, по сравнению с 10 для алмаза), с показателем преломления 2,65—2,69 (по сравнению с 2,42 для алмаза).^[50]

Внешние изображения
Различия в разложении света камнями[51]
	Дисперсия света огранёнными муассанитом и бриллиантом.

Муассанит имеет несколько более сложную структуру, чем обычный кубический диоксид циркония. В отличие от алмаза, муассанит может иметь сильное двулучепреломление. Это качество является желательным в некоторых оптических конструкциях, но только не в драгоценных камнях. По этой причине муассанитовые драгоценности разрезают вдоль оптической оси кристалла, чтобы свести к минимуму эффект двупреломления. Муассанит имеет более низкую плотность 3,21 г/см³ (против 3,53 г/см³ для алмаза) и гораздо более устойчив к теплу. В результате получается камень с большим блеском минерала, с чёткими гранями и хорошей устойчивостью к внешним воздействиям.

Синтетический карбид кремния: карборунд, муассанит (бриллиантовая огранка)

В сравнении с алмазом, который горит при температуре 800 °C, муассанит остаётся неповреждённым вплоть до температуры в 1800 °C (температура плавления чистого золота равна 1064 °C). Муассанит стал популярен как заменитель алмаза и может быть ошибочно принят за алмаз, так как его теплопроводность гораздо ближе к алмазу, чем у любого другого заменителя бриллианта. Драгоценный камень можно отличить от алмаза с помощью его двулучепреломления и очень небольшой зелёной или жёлтой флуоресценции в ультрафиолетовом свете^[52].

Производство стали

Карбид кремния выступает в качестве топлива для изготовления стали в конвертерном производстве. Он чище, чем уголь, что позволяет сократить отходы производства. Также может быть использован для повышения температуры и регулирования содержания углерода. Использование карбида кремния стоит меньше и позволяет производить чистую сталь из-за низкого уровня содержания микроэлементов, по сравнению с ферросилицием и сочетанием с углеродом^[53].

Катализатор

Естественная резистентность карбида кремния к окислению, а также открытие новых путей синтеза кубической формы β-SiC с большей площадью поверхности, приводит к большому интересу в использовании его в качестве гетерогенного катализатора. Эта форма уже использовалась в качестве катализатора при окислении углеводородов, таких как н-бутан, малеиновый ангидрид^[54][55].

Производство графена

Карбид кремния используется для производства графена с помощью графитизации при высоких температурах. Это производство рассматривается как один из перспективных методов синтеза графена в больших масштабах для практических применений^[56][57]. Высокая температура (2830 °C, как выше указано в реакции) приводит к разложению карбида кремния. Кремний как более летучий элемент уходит из приповерхностных слоёв, оставляя одно- или многослойный графен, нижние из которых сильно связаны с объёмным кристалом. В качестве исходного материала используют монокристаллы 6H-SiC(0001), на поверхности которых формировались террасы графена в результате термообработки с размерами около 1 мкм, разделённые областями с несколькими слоями^[58].

Применение в строительстве

Может использоваться в качестве фибры в фибробетоне (аналогично базальтовому волокну)^[59].

См. также

• Победит
• Муассанит
• Абразив
• Нитрид галлия

Примечания

1. Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals (англ.). — McGraw-Hill Education, 2002. — ISBN 0070494398.
2. http://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0555.html
3. Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Архивировано 24 апреля 2012 года.
4. Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing (англ.). — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606.
5. Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material» (англ.).
6. "The Manufacture of Carborundum — a New Industry" (англ.). 1894-07-04. Архивировано из оригинала 23 января 2009.
7. Dunwoody, Henry H. C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector) (англ.).
8. Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha.: A History of Electroluminescent Displays (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
9. Moissan, Henri. Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo (фр.) // Comptes rendus^[англ.] : magazine. — 1904. — Vol. 139. — P. 773—786. Архивировано 2 декабря 2019 года.
10. Di Pierro S. et al. Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide) (итал.) // American Mineralogist^[англ.] : diario. — 2003. — V. 88. — P. 1817—1821. Архивировано 24 сентября 2015 года.
11. Alexander C. M. O'D. In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites (англ.) // Nature : journal. — 1990. — Vol. 348. — P. 715—717. — doi:10.1038/348715a0.
12. Jim Kelly. The Astrophysical Nature of Silicon Carbide  (неопр.). Архивировано 4 мая 2017 года.
13. Harris, Gary Lynn. Properties of silicon carbide (англ.). — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170—180. — ISBN 0852968701.
14. Lely, Jan Anthony. Darstellung von Einkristallen von Silicium Carbid und Beherrschung von Art und Menge der eingebauten Verunreinigungen (нем.) // Berichte der Deutschen Keramischen Gesellschaft : Журнал. — 1955. — H. 32. — S. 229—236.
15. N. Ohtani, T. Fujimoto, T. Aigo, M. Katsuno, H. Tsuge, H. Yashiro. Large high-quality silicon carbide substrates (англ.) // Nippon Steel Technical Report. — 2001. — No. 84. Архивировано 4 марта 2012 года.
16. Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology (англ.). — Springer, 2003. — P. 180—200. — ISBN 3540003673.
17. Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) (англ.) // журнал Advanced Materials. — 2004. — P. 706. — doi:10.1002/adma.200306467.
18. Park, Yoon-Soo. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 20—60. — ISBN 0127521607.
19. Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres (англ.) // Journal of Materials Science. — 2006. — P. 823. — doi:10.1007/s10853-006-6566-z.
20. Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide (англ.). — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — P. 260. — doi:10.1021/cm00027a007.
21. Cheung, Rebecca. Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments (англ.). — Imperial College Press, 2006. — P. 3. — ISBN 1860946240.
22. Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies (англ.). — Journal of Applied Physics, 1994. — P. 1363. — doi:10.1063/1.358463.
23. Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide (англ.). — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044204.
24. Карбид кремния / под ред. Г. Хенита и Р. Рол, пер. с англ. — М.: Мир, 1972. — 349 с., с ил. — С. 119—128.
25. Г. Г. Гнесин. Карбидокремниевые материалы. — М.: Металлургия, 1977. — 216 с., с ил.
26. Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Дата обращения: 6 июня 2009. Архивировано 24 апреля 2012 года.
27. Yoon-Soo Park, Willardson, Eicke R. Weber. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 1—18. — ISBN 0127521607.
28. Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.). — IEEE Transactions on Electron Devices, 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
29. Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — Iss. 9. — P. 044205. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044205.
30. Важнейшие соединения кремния  (рус.). Дата обращения: 24 мая 2010. Архивировано 13 октября 2007 года.
31. Рабинович, В. А. Кремния карбид // Краткий химический справочник / В. А. Рабинович, З. Я. Хавин. — Л. : Химия, 1977. — С. 74.
32. А. М. Голуб. Общая и неорганическая химия = Загальна та неорганична хімія. — Вища школа, 1971. — С. 227. — 443 с. — 6700 экз.
33. Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759 (англ.).
34. Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites (англ.). — Springer, 2005. — P. 312. — ISBN 1402081332.
35. "Ceramics for turbine engines" (англ.). Архивировано 6 апреля 2009.
36. Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight (англ.). Future Firepower. Архивировано 24 апреля 2012 года.
37. Top 10 Fast Cars (англ.). Архивировано из оригинала 26 августа 2009 года.
38. O'Sullivan, D.; Pomeroy, M. J.; Hampshire, S.; Murtagh, M. J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits (англ.) // MRS proceedings. — 2004. — Iss. 19. — P. 2913—2921. — doi:10.1557/JMR.2004.0373.
39. Whitaker, Jerry C. The electronics handbook (англ.). — CRC Press, 2005. — P. 1108. — ISBN 0849318890.
40. Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.) // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
41. Madar, Roland. Materials science: Silicon carbide in contention (англ.) // Nature : Журнал. — 2004-08-26. — Iss. 430. — P. 974—975. — doi:10.1038/430974a.
42. Yellow SiC LED (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
43. Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes (англ.). — Academic Press, 1997. — P. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569.
44. "The largest telescope mirror ever put into space" (англ.). European Space Agency. Архивировано 19 октября 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.
45. Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope (англ.) // Journal Proc. SPIE. — P. 263. Архивировано 1 октября 2017 года.
46. "Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames" (англ.). NASA. Архивировано 15 марта 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.
47. Maun, Jignesh D.; Sunderland, P. B.; Urban, D. L. Thin-filament pyrometry with a digital still camera (англ.) // Applied Optics. — 2007. — Iss. 4. — P. 483. — doi:10.1364/AO.46.000483. — PMID 17230239.
48. Yeshvant V. Deshmukh. Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383—393. — ISBN 0849334055.
49. López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties (англ.) // Journal of Nuclear Materials : журнал. — 2009. — P. 219. — doi:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013.
50. Moissanite vs. Diamond: What’s the Difference? (англ.)
51. What is moissanite? (англ.)
52. O'Donoghue, M. Gems (англ.). — Elsevier. — 2006. — P. 89. — ISBN 0-75-065856-8.
53. Silicon carbide (steel industry) (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
54. Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts : heterogeneous catalysts : [англ.]. — CRC Press, 2000. — P. 258. — ISBN 0849394171.
55. Singh, S. K. High surface area silicon carbide from rice husk : A support material for catalysts : [англ.] / S. K. Singh, K. M. Parida, B. C. Mohanty … [et al.] // Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — Vol. 54. — P. 29–34. — doi:10.1007/BF02071177.
56. de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics (англ.). — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381. (недоступная ссылка)
57. de Heer, Walt A. Epitaxial graphene (англ.) // Solid State Communications. — 2007. — P. 92. — doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023. Архивировано 9 декабря 2008 года.
58. Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства (рус.) // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — doi:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233. Архивировано 14 декабря 2012 года.
59. 212. К. А. Сарайкина, В. А. Шаманов Дисперсное армирование бетонов // Вестник ПГТУ. Урбанистика. 2011. № 2.

Ссылки

• Kelly, Jim. A brief history of SiC : [арх. 19.01.2008] // Jim Kelly's filing cabinet. — Department of Chemistry, University College London, 2005. — 31 октября. — Дата обращения: 23.06.2020.
• Карбид кремния: технология, свойства, применение / Под ред. Беляева А. Е., Конаковой Р. В. — Харьков: ИСМА, 2010. — 532 с. — ISBN 978-966-02-5445-9
• Дигонский С. В. Газофазные процессы синтеза и спекания тугоплавких веществ. — М.: ГЕОС, 2013. — 462 с.