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バンド図
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半導体の固体物理学において、バンド図(バンドず、英語: Band diagram)は、空間次元(xと表記されることが多い)の関数として様々な鍵となる電子エネルギー準位(フェルミ準位と近くのエネルギーバンド端)を描画した図である[1]。バンド図は、半導体デバイスの多くの種類の動作を説明するのに役立つ、そして、位置によってどのようにバンドが変化するのか(バンドベンディング)を視覚化するのにも役立つ。バンドはエネルギーレベルの充填を区別するために着色されることがある。
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緑の線が伝導帯端、赤い線が価電子帯端、点線がフェルミ準位である。緑の線と赤い線の間が禁制帯である。
空乏層は薄い色で塗られた部分である。φBは、正孔のレベルと電子のレベルに対するバンドシフトを意味する。
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バンド図は、バンド構造図と混同するべきではない。バンド図とバンド構造図の縦軸は、ともに電子のエネルギーである。異なる点は、バンド構造図の横軸が無限大で均一な物質(結晶あるいは真空)における電子の波数ベクトルを表現していることである。一方でバンド図の横軸は、複数の物質を通した空間の中の位置を表現している。
バンド図は、場所から場所へのバンド構造の「変化」を示すので、バンド図の解像度は、不確定性原理によって制限される。つまり、バンド構造は運動量に依存しており、運動量は大きな長さのスケールに対してのみ正確に定義される(運動量=波数ベクトル×ディラック定数なので、位置が不確定になる)。このため、バンド図は長いスケールのバンド構造の変化を正確に描画することしかできず、異なる物質間(あるいは物質と真空の間)の境界面の鮮明かつ原子スケールの顕微鏡写真のようなものを見せることは困難である。
一般的に長い距離の影響は、漸近的なバンドベンディング(バンドの変化)としてバンド図の中に示すことができるが、境界面は「ブラックボックス」として描画しないといけない[2]。