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サイモン・ミン・ジィー(Simon Min Sze、施敏、1936年 - 2023年11月6日)は、中国系アメリカ人の電気工学者。国立陽明交通大学終身教授、国立台湾科技大学名誉教授。1967年にダウォン・カーンとともに浮遊ゲートMOSFETを発明したことで最も有名。
施敏 Simon Sze | |
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生誕 |
1936年3月21日 中華民国南京市 |
死没 | 2023年11月6日 (87歳没) |
国籍 |
台湾 アメリカ合衆国 |
研究分野 | 電子工学 |
研究機関 | 国立陽明交通大学 |
出身校 |
国立台湾大学 ワシントン大学 (ワシントン州) スタンフォード大学 |
主な業績 | 浮遊ゲートMOSFET |
主な受賞歴 |
J J Ebers Award (1991) IEEE Celebrated Member (2017) 未来科学大賞 (2021) |
プロジェクト:人物伝 |
中国の南京市で生まれ台湾で育った。1957年に国立台湾大学を卒業し、1960年にワシントン大学で修士号を取得し、1963年にスタンフォード大学で博士号を取得した。1990年までベル研究所で働き、その後台湾に戻り国立交通大学の教員となった。
2023年11月6日に死去。87歳没[1]。
現在不揮発性半導体メモリデバイスに広く使用されている浮遊ゲートMOSFETを1967年に発見したこと(ダウォン・カーンとともに)を含む半導体物理学及びテクノロジーにおける研究で知られる[2]。半導体の分野で最も引用される教科書の1つである『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』(Physics of Semiconductor Devices)を含む多くの本を著している。1991年に電子デバイスへの功績によりJ J Ebers Awardを受賞した[3]。
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