Nitruro di gallio
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Il nitruro di gallio (GaN) è il composto binario covalente formato dal gallio con l'azoto.[1] Fu ottenuto per la prima volta nel 1932 dalla reazione del gallio metallico con l'ammoniaca a 1000 °C.[2][3] È un composto non molecolare avente formula minima GaN, dove sia il gallio che l'azoto sono entrambi tetracoordinati e tetraedrici. Il nitruro di gallio è un tipico semiconduttore del tipo III-V.[4] È un materiale molto duro avente la struttura della wurtzite. L'ampiezza del suo band gap lo rende utile in speciali applicazioni di optoelettronica,[5][6] anche in dispositivi di potenza o di alta frequenza, impiegato in diodi LED blu e che in particolare rende possibili i laser nel violetto (405 nm) senza dover ricorrere al raddoppiamento di frequenza che sfrutta ottiche non lineari.[7]
Nitruro di gallio | |
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Nome IUPAC | |
nitruro di gallio | |
Caratteristiche generali | |
Formula bruta o molecolare | GaN |
Massa molecolare (u) | 83.7297 |
Aspetto | solido cristallino incolore |
Numero CAS | 25617-97-4 |
Numero EINECS | 247-129-0 |
PubChem | 117559 |
SMILES | N#[Ga] |
Indicazioni di sicurezza | |