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NAND-Gatter

Logikgatter Aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie

NAND-Gatter
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Ein NAND-Gatter (von englisch: not andnicht und) ist ein Logikgatter mit zwei oder mehr Eingängen A, B, … und einem Ausgang Y, zwischen denen die logische Verknüpfung NICHT UND besteht. Ein NAND-Gatter gibt am Ausgang 0 aus, wenn alle Eingänge 1 sind. In allen anderen Fällen, d. h., wenn mindestens ein Eingang 0 ist, wird eine 1 ausgegeben.

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Die Schreibweise entspricht dem Shefferschen Strich.

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Logiksynthese

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NAND-Gatter spielen in der Digitaltechnik die Rolle eines Standardbausteins, da sich allein mit ihnen alle logischen Verknüpfungen und somit auch komplexere Schaltungen (wie Addierer, Multiplexer usw.) zusammenstellen lassen, siehe auch vollständige Logiksysteme.

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Schematische Darstellung eines 4-Bit-Addierers unter ausschließlicher Verwendung von NAND-Gattern; der groß gezeichnete, hierfür verwendete Grundbaustein addiert die Zustände an den Eingängen A, B und C zu einer zweistelligen Dualzahl
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Realisierung

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Funktionsprinzip eines NAND-Gatters

Die schaltungstechnische Realisierung erfolgt zum Beispiel mit zwei (oder entsprechend mehr) in Reihe geschalteten Schaltern (Transistoren), die den Ausgang Q auf Masse (logisch 0) legen, wenn sie alle eingeschaltet sind. Ist einer von ihnen aus, so ist die Masseverbindung unterbrochen und der Ausgang Q liegt auf Pluspotential (logisch 1).

Der NAND-Standardbaustein in Transistor-Transistor-Logik (TTL), als Vierfach NAND-Gatter mit der Bezeichnung 7400 ein bekannter Digital-IC, verwendet anstelle mehrerer Transistoren einen einzigen Transistor mit mehreren Emittern am Eingang. Diese speziellen Transistoren werden auch als Multiemitter-Transistor bezeichnet. Die Vorgängerlogik, die Diode-Transistor-Logik (DTL), verwendet statt des Multiemitter-Transistor mehrere Eingangsdioden zur Verknüpfung.

In der NMOS-Logik kann ein NAND-Gatter mit drei gleichwertigen n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren (n-MOSFETs) mit weniger Chipfläche realisiert werden. Die gleichwertige Funktion ist auch in CMOS-Logik mit vier MOSFETs mit geringerer Leistung verfügbar: Liegt an Eingang A und B High-Potential, leiten T3 und T4, T1 und T2 sperren. Somit liegt am Ausgang Y Low-Potential an. Bei allen anderen Eingangszuständen liegt High-Potential am Ausgang, weil T1 und/oder T2 leiten und gleichzeitig T3 und/oder T4 sperren.

In CMOS sind NAND-Gatter effizienter als NOR-Gatter[1] Dies liegt an der schnelleren Ladungsbeweglichkeit in den n-MOSFETs gegenüber den p-MOSFETs, so dass die im NAND-Gatter realisierte Parallelschaltung zweier p-MOSFETs günstiger ist als ihre Serienschaltung im NOR-Gatter. Daher werden NAND-Gatter bei CMOS-Schaltkreisen gegenüber NOR-Gattern generell bevorzugt.

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Literatur

  • Erwin Böhmer, Dietmar Ehrhardt, Wolfgang Oberschelp: Elemente der angewandten Elektronik: Kompendium für Ausbildung und Beruf. 16. Auflage, Vieweg & Teubner Verlag, Wiesbaden 2010, ISBN 978-3-8348-0543-0, S. 240–242.
  • Detlef Kamke: Digitalelektronik: Eine Einführung für Physiker. Teubner Verlag, Wiesbaden 1985, ISBN 978-3-519-03077-5, S. 33–35.
Commons: NAND gates – Sammlung von Bildern, Videos und Audiodateien

Einzelnachweise

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