![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/2/21/Transistorer_%2528cropped%2529.jpg/640px-Transistorer_%2528cropped%2529.jpg&w=640&q=50)
TO-3
standardizované kovové pouzdro používané pro výkonové polovodiče / From Wikipedia, the free encyclopedia
TO-3 je v elektronice označení pro standardizované kovové pouzdro používané pro výkonové polovodiče, včetně tranzistorů, křemíkových řízených usměrňovačů a integrovaných obvodů. Zkratka TO znamená anglicky Transistor Outline a používá se na technických výkresech sdružení JEDEC.[1]
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/2/21/Transistorer_%28cropped%29.jpg/640px-Transistorer_%28cropped%29.jpg)
Pouzdro bylo okolo roku 1955 navrženo ve společnosti Motorola skupinou vedenou ředitelem výzkumu polovodičové divize Virgilem E. Bottomem,[2] a poprvé bylo použito pro první sériově vyráběný výkonový tranzistor – slitinový germaniový tranzistor 2N176.[2][3] Rozestup vývodů byl zvolen tak, aby se součástka mohla zapojit do elektronkové patice v té době obvyklé.[4] Základna pouzdra TO-3 je zespodu plochá, aby bylo možné součástku připevnit k chladiči, obvykle přes teplotně vodivou, ale elektricky izolační podložku.