國際電子元件會議（英語：International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM），是每年12月在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導體、電子元件技術、設計、製造、物理與模型等領域中的技術突破。[1][2]IEDM將世界上工業界與學界的管理者、工程師和科學家聚在一起討論奈米級CMOS電晶體技術、先進記憶體、顯示、感測器、微機電系統元件、新穎量子與奈米級規模元件、粒子物理學現象、光電工程、功率與能量收集元件、高速元件、製程技術、元件模型化與模擬。 會議也涵蓋矽、化合物、有機半導體與新興材料系統元件的討論和簡報。[3][4]除技術論文簡報外，IEDM包含多個全體簡報、小組會議、教程、短期課程與由工業界與學界專家所引導的邀請會談。[5][6][7]
| 國際電子元件會議 | |
|---|---|
| 網站 | http://www.his.com/~iedm/ |
贊助發起
國際電子元件會議是由電機電子工程師學會（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）(IEEE)中的電子元件學會 （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）(EDS)所贊助發起的。
歷史
第一屆年度電子元件技術會議(於1960年代中期更名為國際電子元件會議)於1955年10月24-25日在華盛頓哥倫比亞特區的索爾海姆酒店舉行，大約有700位科學家參與。 在那時候，七歲大的電晶體與真空管為電子元件的主要技術。發表了國家最先進電子元件技術的54篇論文，主要來自四家美國公司：貝爾實驗室、美國無線電公司、休斯飛機公司和西爾瓦尼亞電子產品。 兩個主要的原因驅動了電子元件會議的需要，其一是快速成長的新興"固態"電子分支，另一個則是美國政府航空太空和防衛中對於固態電子元件與更好微波管的渴望。[8]
IEDM 2013
2013年國際電子元件會議將在12月9-11日於華盛頓希爾頓酒店舉行。
特別受到關注的會議主題包含：
主要關注主題將會是：
IEDM 2012 摘要
2012年國際電子元件會議在12月10-12日於舊金山聯合廣場希爾頓酒店舉行。此次會議著重於：[9]
- 技術/電路共同最佳化
- 功率/效能/面積分析
- 製造及製程控制設計
- CMOS平台技術與規模
IEDM 2011 摘要
IEDM 2010 摘要
2010年國際電子元件會議在12月6-8日於舊金山聯合廣場希爾頓酒店舉行。此次會議摘要包含：[12][13]
- 著重於動力與能源
- 15 nm CMOS 元件技術
- 新穎的量子與奈米級元件
- 微機電系動力學
- 石墨烯FETs
IEDM 2009 摘要
由於華盛頓哥倫比亞特區會場裝修，2009年國際電子元件會議在12月7-9日於巴爾的摩希爾頓酒店舉行。此次會議的焦點如下：[14][15]
IEDM 2008 摘要
2008年國際電子元件會議在12月15-17日於加州舊金山舉行。此次會議的主要摘要包含：
參考
其他資訊
相關研討會
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