二矽化鉬

二矽化鉬（Molybdenum disilicide， MoSi₂ ）是一種鉬的矽化合物，由於兩種原子的半徑相差不大，電負性比較接近，所以其具有近似於金屬與陶瓷的性質。熔點高達2030℃，具有導電性，在高溫下表面能形成二氧化矽鈍化層以阻止進一步氧化，其外觀為灰色金屬色澤，源於其四方α-型晶體結構，也存在六角形但不穩定的β-改性晶體結構^[3] 。不溶於大部分酸，但可溶於硝酸和氫氟酸。

二矽化鉬
IUPAC名 Molybdenum disilicide
識別
CAS號	12136-78-6  Y
PubChem	6336985
性質
化學式	MoSi2
莫耳質量	152.11 g/mol g·mol⁻¹
外觀	灰色具有金屬性的固體
密度	6.26 g/cm3[1][2]
熔點	2030 °C[2]
結構
晶體結構	四方形[1]
空間群	I4/mmm (No. 139), tI6
晶格常數	a = 0.32112 nm, c = 0.45236 nm
危險性
歐盟編號	未編號
閃點	非易燃
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

雖然二矽化鉬在大於1000℃的高溫下具有極高的抗氧化性和楊氏模量，但低溫時易脆；另外在超過1200℃的高溫下會喪失抗蠕變能力。這限制了其作為結構材料的應用，但可以通過與其他材料複合來彌補。

二矽化鉬及以其為基礎的材料通常由燒結製得。通過電漿噴塗可用以生產緻密的整體式和複合形式製作的材料，為了快速冷卻，通常還會包含少量β-改性的二矽化鉬。

二矽化鉬製得的加熱元件可以在1800℃高溫運作，因此可用於實驗室和生產環境中使用的電熔爐，生產玻璃、鋼、電子元件、陶瓷等，以及對材料進行熱處理。二矽化鉬雖然具有脆性，但可以在高功率操作下不老化，其電阻率不隨時間改變。在低氧環境下，由於鈍化層不易形成，所以最大工作溫度要有所降低。

除了二矽化鉬，碳化矽、鈦酸鋇、鈦酸鉛等複合材料也可作為電熱陶瓷材料。

此外，在微電子工業中，也可以添加到多晶矽中作為分流器來提升導電性，提升信號傳播速率。

種類

二矽化鉬

MoSi₂分為直型棒、U型棒、三相棒、槍型棒、五節型棒、槽型棒、單螺紋棒、雙螺紋棒等各種規格型號^[4]。

參考資料

1. A. Nørlund Christensen. Crystal growth and characterization of the transition metal silicides MoSi2 and WSi2. Journal of Crystal Growth. 1993, 129 (1–2): 266–268. doi:10.1016/0022-0248(93)90456-7.
2. Soo-Jin Park; Min-Kang Seo. Interface Science and Composites. Academic Press. 18 July 2011: 563– [30 December 2011]. ISBN 978-0-12-375049-5.
3. F. M. d』Heurle, C. S. Petersson, and M. Y. Tsai. Observations on the hexagonal form of MoSi2 and WSi2 films produced by ion implantation and on related snowplow effects. J. Appl. Phys. 1980, 51 (11): 5976. doi:10.1063/1.327517.
4. 二硅化钼. [2012-08-29]. （原始內容存檔於2012-08-31）.