三五族化合物(英語:Ⅲ-Ⅴ compounds,讀成three-five compound)是化學元素週期表中的13族元素(即ⅢA族,如)和15族元素(即ⅤA族,包含)組成化合物[1]。由於它們通常是化合物半導體,故又稱三五族半導體[2]英語:Ⅲ-Ⅴ semiconductors),比較知名的包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)。

例子

下表是二元的三五族化合物。

More information III-V族化合物, 5 B ...
III-V族化合物 5 B 13 Al 31 Ga 49 In 81 Tl
7 N BN AlN GaN InN TlN
15 P BP AlP GaP InP TlP
33 As BAs AlAs GaAs InAs TlAs
51 Sb BSb AlSb GaSb InSb TlSb
83 Bi BBi AlBi GaBi InBi TlBi
註:綠色為非金屬,棕色為類金屬,灰色為貧金屬,元素符號左方為原子序數
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可以混合兩種以上的二元化合物,得到三元甚至四元化合物,例如磷化銦鎵(In
x
Ga
1-x
P)、砷化銦鎵英語Indium gallium arsenide(In
x
Ga
1-x
As)、磷砷化鎵銦英語Indium gallium arsenide phosphide(In
x
Ga
1-x
As
y
P
1-y
[3]

特性與應用

大部分的三五族化合物具有直接帶隙帶隙介於1到3 eV,適合製作光電元件,例如光偵測器發光二極體太陽能電池[3];發光或感光的波長跟帶隙有關。

三五族半導體製成的二極體,如異質接面雙極電晶體高電子移動率電晶體,也適合製作通訊元件[4]

製程

半導體製程中,三元或四元的三五族半導體通常是利用分子束磊晶金屬有機化學氣相沉積製造的[3]

參見

參考文獻

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