小外形雙列直插式主記憶體模組（英語：small outline dual in-line memory module），通常簡稱為SO-DIMM或SODIMM，它是一種採用積體電路的電腦記憶體。SO-DIMM類似DIMM，但它的體積更小，大約是常規DIMM的一半。
SO-DIMM經常用於空間有限的系統，例如筆記型電腦、基於Mini-ITX主機板的小體積個人電腦，高端可升級辦公印表機，以及諸如路由器、NAS裝置等網路硬體。
外觀辨識
大多數SO-DIMM的類型可直觀的通過不同的凹槽缺口辨識，它們用於不同的平台：[1]
- 100針SO-DIMM有兩個缺口。[2]
- 144針SO-DIMM在中心附近有一個缺口。[3]
- 200針SO-DIMM在更靠近一側處有一個缺口。[4]此缺口的確切位置有差異（請見下文）。
- 204針SO-DIMM（DDR3）有比200針SO-DIMM的靠近中心的缺口更靠近中心的缺口。[5]
- 260針SO-DIMM（DDR4），寬度69.6 mm（2.74英寸） ，高度30 mm（1.2英寸），這使它比DDR3 SO-DIMM高2 mm（0.079英寸），在144針後有一個缺口。[6]
- 260針SO-DIMM（UniDIMM），寬度69.6 mm（2.74英寸），高度30 mm（1.2英寸） or 20 mm（0.79英寸），有一個與DDR3 SO-DIMM不同的缺口。[7][8]
200針SO-DIMM可以為DDR或DDR2類型。這兩種情況下，缺口位於板卡長度的五分之一處（20針+缺口80針），但在DDR2中該缺口位於靠近板卡中心的位置。這兩種類型的主記憶體不能互換。不同的缺口位置是為防止較差安裝，同時幫助直觀地視覺辨識200針SO-DIMM模組。
這種差異設計是為避免將電氣不相容的不同DDR世代主記憶體和控制器聯接。DDR SO-DIMM工作電壓為2.5 V，而DDR2 SO-DIMM則為1.8 V。[9]
一般特徵
200和204針SO-DIMM長度為67.6 mm（2.66英寸） 寬度為31.75 mm（1.250英寸），最大總深度為3.8 mm（0.15英寸）。[10]
SO-DIMM在功率和電壓額定值上或多或少等同DIMM，並且儘管記憶體模組的尺寸較小，SO-DIMM技術並不會比DIMM得到更低的效能。例如，DDR3 SO-DIMM提供533 MHz（1066 MT/s，PC3-8500）的時鐘速度，CAS深度為7，並且有單個模組4 GB的高容量。[11]
DDR2 SO-DIMM主記憶體模組通常有200 MHz至400 MHz（PC2-6400）的時鐘速度。[來源請求]204針SO-DIMM也可以包含DDR3 SDRAM，規格如PC3-6400、PC3-8500、PC3-10600、PC3-14900和PC3-17000。[12] 260針UniDIMM可能包含DDR3或DDR4 SDRAM，這取決於其組態。部分SO-DIMM也提供ECC功能；無緩衝的ECC SO-DIMMs稱為SO-CDIMM。[13]
參見
- 雙列直插封裝（DIP）
- 主記憶體控制器
- 主記憶體結構 – 主記憶體模組的邏輯組態（通道、Rank、Bank等）
- RDRAM
- 單列直插式主記憶體模組（SIMM）
- 單列直插式封裝（SIP）
- Zig-zag in-line package（ZIP）
參考資料
外部連結
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