雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（英語：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱DDR SDRAM或DDR），為具有雙倍資料傳輸率的SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。
 | |
| 研發商 | Samsung JEDEC |
|---|---|
| 類型 | SDRAM |
| 發布日期 | 1998年 |
| 後繼機種 | DDR2 SDRAM |
DDR SDRAM 在系統時鐘的上升沿和下降沿都可以進行資料傳輸。
JEDEC固態技術協會為DDR記憶體設立速度規範[1]，並分為以下兩個部分：按主記憶體晶片分類和按主記憶體模組分類。
規格
SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次資料，它是在時鐘上升期進行資料傳輸；而DDR則是一個時鐘周期內可傳輸兩次資料，也就是在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次資料。
| 標準名稱 | I/O 匯流排時脈 (MHz) |
週期 (ns) |
記憶體時脈 (MHz) |
數據速率 (MT/s) |
傳輸方式 | 模組名稱 | 極限傳輸率 (MB/s) |
| DDR-200 | 100 | 10 | 100 | 200 | 並列傳輸 | PC-1600 | 1600 |
| DDR-266 | 133 | 7.5 | 133 | 266 | 並列傳輸 | PC-2100 | 2100 |
| DDR-333 | 166 | 6 | 166 | 333 | 並列傳輸 | PC-2700 | 2700 |
| DDR-400 | 200 | 5 | 200 | 400 | 並列傳輸 | PC-3200 | 3200 |
注意：上面列出的數據都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市規格的數據率不一定是JEDEC規範，往往是製造商自行最佳化，使用更嚴格的公差或overvolted晶片。
DDR SDRAM 之間有很大的設計上的差異，設計不同的時脈頻率，例如，PC-1600被設計運行在100 MHz，至於PC-2100被設計運行在133 MHz。
DDR SDRAM 的模組用於桌上型電腦，被稱為DIMMs，有184隻引腳（而不是168針SDRAM，或240針腳的DDR2 SDRAM），並可以從不同notches數目來辨別（DDR SDRAM，有一個，SDRAM，SDRAM DIMMs的有兩個）。筆記型電腦上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200隻引腳，引腳相同數量的DDR2的SO-DIMMs。這兩種規格的缺口也非常相似，如果不能確定正確的匹配，必須小心插入。
- DDR-200：DDR-SDRAM 記憶晶片在 100MHz 下運行
- DDR-266：DDR-SDRAM 記憶晶片在 133MHz 下運行
- DDR-333：DDR-SDRAM 記憶晶片在 166MHz 下運行
- DDR-400：DDR-SDRAM 記憶晶片在 200MHz 下運行（JEDEC制定的DDR最高規格）
- DDR-500：DDR-SDRAM 記憶晶片在 250MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
- DDR-600：DDR-SDRAM 記憶晶片在 300MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
- DDR-700：DDR-SDRAM 記憶晶片在 350MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
為了要增加主記憶體的容量和帶寬，晶片會利用模組結合。例如，有關 DIMMs 的64位元bus需要8個 8位元的晶片並行處理。與常見的位址線（address lines）的多個晶片被稱為memory rank。這個術語被引入，是要避免與晶片內部row和bank的混亂。
- PC-1600記憶體模組指工作在 100MHz 下的DDR-200主記憶體晶片，其擁有 1.600GB/s 的頻寬
- PC-2100記憶體模組指工作在 133MHz 下的DDR-266主記憶體晶片，其擁有 2.133GB/s 的頻寬
- PC-2700記憶體模組指工作在 166MHz 下的DDR-333主記憶體晶片，其擁有 2.667GB/s 的頻寬
- PC-3200記憶體模組指工作在 200MHz 下的DDR-400主記憶體晶片，其擁有 3.200GB/s 的頻寬
高密度比低密度
PC3200是使用帶寬 3200 MB / s的DDR - 400晶片設計，在200 MHz的DDR SDRAM 由於 PC3200主記憶體的上升和下降時鐘邊沿的數據傳輸，其有效的時鐘速率為 400 MHz。
世代
| DDR SDRAM Standard |
Bus clock (MHz) |
Internal rate (MHz) |
Prefetch (min burst) |
Transfer Rate (MT/s) |
Voltage | DIMM pins |
SO-DIMM pins |
MicroDIMM pins |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DDR | 100–200 | 100–200 | 2n | 200–400 | 2.5/2.6 | 184 | 200 | 172 |
| DDR2 | 200–533 | 100–266 | 4n | 400–1066 | 1.8 | 240 | 200 | 214 |
| DDR3 | 400–1066 | 100–266 | 8n | 800–2400 | 1.5 | 240 | 204 | 214 |
| DDR4 | 800–1200 | 200–300 | 16n | 1600–5067 | 1.2 | 288 | 260 | 214 |
（DDR1）已被DDR2 SDRAM取代，其中有一些修改，以允許更高的時脈頻率。與DDR2的競爭是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一個新的標準，提供更高的效能和新功能。
DDR 預取緩衝器（prefetch buffer）深度為2位元，而DDR2採用4位元。雖然DDR2的時鐘速率高於DDR，但整體效能並沒有提升，主要是由於DDR2高延遲（high latency）。直到2004年DDR2才有明顯的提升。
MDDR
MDDR是Mobile DDR的縮寫，在一些行動電子裝置中使用，像是使用移動電話、手持裝置、數字音訊播放器等。通過包括降低電源電壓和先進的重新整理選項（advanced refresh options）技術，MDDR可以實現更高的電源效率。
公式
利用下列公式，就可以計算出DDR SDRAM時脈。
DDR I/II記憶體運作時脈：實際時脈*2。 （由於兩筆資料同時傳輸，200MHz記憶體的時脈會以400MHz運作。）
記憶體頻寬=記憶體速度*8 Byte
注釋
外部連結
參見
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