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赤崎勇（日語：赤﨑 勇／あかさき いさむ Akasaki Isamu ?，1929年1月30日—2021年4月1日），日本化學工程學家，名古屋大學工學博士。曾任松下電器研究員、名城大學終身教授、名古屋大學特別教授及名譽教授。美國國家工程院外籍院士。IEEE Fellow。紫綬褒章、文化勲章、勳三等旭日中綬章表彰。文化功勞者。
赤崎勇 赤﨑 勇（あかさき いさむ） | |
|---|---|
| |
| 出生 | 1929年1月30日 大日本帝國鹿兒島縣川邊郡知覽村（現南九州市） |
| 逝世 | 2021年4月1日（92歲） 日本愛知縣名古屋市 |
| 國籍 | 日本 |
| 母校 | 京都大學 名古屋大學 |
| 知名於 | 開發氮化鎵結晶化技術，完成世界第一個高亮度的藍色發光二極體 |
| 配偶 | 赤崎陵子 |
| 獎項 | C&C獎（1998） IEEE Jack A. Morton Award（1998） 朝日獎（2000） 文化功勞者（2004） 京都獎（2009） IEEE愛迪生獎章（2011） 文化勳章（2011） 日本學士院獎・恩賜獎（2014） 諾貝爾物理學獎（2014） 查爾斯·斯塔克·德雷珀獎（2015） |
| 科學生涯 | |
| 研究領域 | 物理學、工程學 |
| 機構 | 松下電器 名城大學 名古屋大學 |
| 博士生 |  天野浩 |
| 備註 | |
親屬： 赤崎正則（兄） | |
赤崎教授於2014年憑藉「發明高亮度藍色發光二極體，帶來了節能明亮的白色光源」與天野浩、中村修二共同獲得諾貝爾物理學獎[1]，他也是繼羅伯特·密立根之後，史上第2位兼有諾貝爾獎暨IEEE愛迪生獎章榮譽的科學家。
1929年1月30日，赤崎勇出生於日本鹿兒島縣，幼時曾有躲避美軍戰機的經歷，終身反戰。1952年京都大學理學部畢業，1964年獲得工學博士（名古屋大學）學位。其後曾服務於神戶工業（現電裝天）、名古屋大學、松下電器等單位。
在1960年代末，他開始工作於氮化鎵（GaN）基藍光LED。一步一步，他改進的GaN晶體質量和器件結構[2]，在松下研究所東京公司（MRIT）那裡，他決定採用有機金屬化學氣相沉積法作為首選的GaN生長方法。
1986年，赤崎勇以低溫沉積（AlN）氮化鋁緩衝層技術成功生產高品質的GaN晶體。1989年，他與門生天野浩完成p型GaN的結晶化，首次觀測到p型材料的劇烈發光，並以GaN的pn構成完成了藍色發光二極體。同一時期，赤崎的學生也包括日後的中國知名企業家唐駿[3]。
1990年，赤崎師徒完成室溫下紫外線暴露GaN的誘導放射。基於上述的各階段突破，1992年，他們發明了人類史上第一個高亮度藍色發光二極體。1995年，進一步完成注入量子多重化電流的GaN/GalnN誘導放射。自此開始，赤崎勇就一直是熱門的諾貝爾獎候選人之一[4][5]。在2009年至2014年的名古屋大學官方簡介中，赤崎一直與另外4位名大的諾貝爾獎得主（野依、小林、益川、下村）並列。
赤崎教授的發明產生了專利，專利被獎勵特許權使用費，其中一部份用於建立2006年10月20日開設的「名古屋大學赤崎紀念研究館」（Nagoya University Akasaki Institute）[6] 。研究館建有一個展示藍光LED研究/開發和應用的歷史的LED畫廊，一個科研合作辦公室，一個創新研究實驗室，和赤崎教授的頂部六樓的辦公室。該研究館坐落在名古屋大學東山校區合作研究區域的中心。
赤崎勇與天野浩、中村修二於2014年10月7日獲得諾貝爾物理學獎。翌日赤崎與江崎玲於奈（1973年諾貝爾物理學獎得主）進行電話會談，他們討論了彼此發明的社會影響力，也提到「日本人特有的毅力」是成功的重要原因[7]。
赤崎是首位九州出身的日本人諾貝爾獎得主[8]，亦締造若干國內紀錄，包括首次師徒同時獲獎（與天野浩）；獲獎年齡第二高（85歲，僅次於南部陽一郎的87歲）；最高齡出席頒獎典禮。
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