三氟化鎵

三氟化鎵（GaF₃）是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C，但是在950°C左右就會升華。它具有FeF₃型結構，鎵原子為6配位。^[1]三氟化鎵可由F₂或HF與Ga₂O₃反應製得，而(NH₄)₃GaF₆的熱分解也可以製得它。^[2]三氟化鎵幾乎不溶於水。^[2]蒸發GaF₃和HF的混合溶液可以獲得三水合物GaF₃·3H₂O，後者受熱時水解形成鹼式鹽GaF₂(OH)。^[2]三氟化鎵與無機酸反應生成劇毒的氫氟酸。

軸向結構圖	沿c軸結構圖	Ga的配位構型	F的配位構型

三氟化鎵
別名	gallium trifluoride
識別
CAS號	7783-51-9  Y
PubChem	82211
ChemSpider	74191
SMILES	F[Ga](F)F
InChI	1/3FH.Ga/h3*1H;/q;;;+3/p-3
InChIKey	WXXZSFJVAMRMPV-DFZHHIFOAM
性質
化學式	GaF3
莫耳質量	126.718 g·mol⁻¹
外觀	白色粉末
密度	4.47 g/cm3
熔點	800 °C
沸點	1000°C
溶解性（水）	0.0002 g/100 mL
結構
晶體結構	三方晶系，hR24
空間群	R-3c, No. 167
危險性
歐盟分類	未列出
NFPA 704	0 3 2
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

參考資料

1. Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. Chemistry of the Elements 2nd. Oxford:Butterworth-Heinemann. 1997. ISBN 0-7506-3365-4.
2. Anthony John Downs, (1993), Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium, and Thallium, Springer, ISBN 978-0-7514-0103-5

擴展閱讀

• Barrière, A.S.; Couturier, G.; Gevers, G.; Guégan, H.; Seguelond, T.; Thabti, A.; Bertault, D. Preparation and characterization of gallium(III) fluoride thin films. Thin Solid Films. 1989, 173 (2): 243. doi:10.1016/0040-6090(89)90140-5.