3D XPoint（发音three dee cross point[1]）是一种由英特尔和美光科技于2015年7月宣布的非易失性存储器（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储装置冠名Optane，而美光称为QuantX。它通常被认为是一种基于相变化存储器的技术，但也有其他可能性被提出。[2]但是2021年3月、美光出售相关工厂，而2022年七月、Intel也宣布放弃此技术。
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该种技术的材料和物理细节尚未公布。位元存储基于bulk电阻的变化，结合可堆叠的跨网格数据存取阵列。
美光的存储解决方案副总裁说：“3D Crosspoint将是DRAM价格的一半左右，但会比NAND闪存贵4到5倍。”[3]相较NAND闪存，英特尔宣称其有10倍的低延迟，3倍写入耐久，4倍每秒写入、3倍每秒读取的性能提升，以及30%的功耗。[4][5]
背景与阐述
3D XPoint的开发始于2012年。英特尔和美光之前已开发了其他非易失性相变化存储器（PCM）技术；[注 1]美光Mark Durcan说：3D XPoint架构不同于以前提供的PCM，并为闪存单元的选择器和存储部分采用硫族化物材料，从而比传统的PCM材料（例如GST）更快、更稳定。[7]
截至2015年，英特尔或美光尚未提供该技术的完整细节，尽管该项技术已经声明“不基于电子”。[8]3D XPoint已经被声明使用电阻并且是位元可寻址。[9]类似Crossbar公司正在开发的可变电阻式存储器，但3D XPoint存储的物理结构不同。3D XPoint的开发商表示其基于“bulk材料的电阻变化”。[10]英特尔行政总裁Brian Krzanich回应了对XPoint材料的提问，称切换是基于“bulk材料性能”。[11]英特尔已表示3D XPoint不使用相变或忆阻器技术。[12]
根据最近的一篇文章，“似乎没有其他供应商有能比拟XPoint性能和耐用性的类似的电阻式内存/相变存储器技术。”[13]
产品
在最初，由IM Flash Technologies LLC（英特尔-美光合资）运营的位于犹他州李海的晶圆厂在2015年生产了少量128 Gbit晶片，其堆叠两个64 Gbit平面（plane）。[15][16]2016年初，IM Flash行政总裁Guy Blalock表示，晶片批量生产仍需约12至18个月。[17]
2015年中期，英特尔宣布基于3D XPoint技术的Optane品牌[18]，预计每位元价格将高于NAND但低于DRAM，具体仍取决于最终产品。[19]
2016年早期，IM Flash宣布其首个固态硬盘世代将达到9微秒潜伏时间、95000 IOPS吞吐量。[17]2016年英特尔开发者论坛上演示的PCI Express（PCIe）140GB开发板在基准测试方面显示了相较于PCIe NAND SSD 2.4-3倍的改进。[20]
2017年初，英特尔公布了Optane品牌的中文名——闪腾，3月28日的发布会上，闪腾更名为傲腾。[21]产品会有固态硬盘和内存两种方式。
3月19日，英特尔发布了傲腾固态硬盘——面向企业级数据中心的“Optane SSD DC P4800X”。[22][23]3月28日，英特尔发布了傲腾内存（Intel Optane Memory）。[注 2][24]
参见
- 混合存储立方体 Hybrid Memory Cube
脚注
参考资料
外部链接
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