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中村修二（日語：中村 修二／なかむら しゅうじ Nakamura Shūji ?，1954年5月22日—），生於日本愛媛縣的日裔美國公民，專業為電子工程學家，商業用高亮度藍色發光二極管與青紫色激光二極管的發明者，世稱「藍光之父」。現任美國加州大學聖塔芭芭拉分校教授、愛媛大學客座教授。文化勳章獲得者。文化功勞者。
中村修二 中村 修二（なかむら しゅうじ） | |
|---|---|
文部科學省官方肖像 | |
| 出生 | 1954年5月22日 日本愛媛縣西宇和郡四濱村（現伊方町）[1] |
| 居住地 |  美國 |
| 國籍 | 美國（2005/2006年之後）[2][3] |
| 母校 | 德島大學 |
| 知名於 | 發明實用級高亮度藍色發光二極管、青紫色激光二極管 |
| 獎項 | IEEE/LEOS 工程成就獎（1996） 仁科芳雄獎（1996） IEEE Jack A. Morton Award（1998） British Rank Prize（1998） 富蘭克林獎章（2002） 千禧年科技獎（2006） 阿斯圖里亞斯親王獎學術・技術研究部門（2008） 哈維獎（2009） 諾貝爾物理學獎（2014） 文化勳章（2014） 文化功勞者（2014） 查爾斯·斯塔克·德雷珀獎（2015） 全球能源獎（2015） 全美發明家殿堂（2015） |
| 科學生涯 | |
| 研究領域 | 電子工程 |
| 機構 | 日亞化學工業 加州大學聖塔芭芭拉分校 |
2014年，中村憑藉「發明高亮度藍色發光二極管，帶來節能明亮的白色光源」與赤崎勇、天野浩共同獲得諾貝爾物理學獎[4]，晉身繼南部陽一郎之後的第2位美國籍日裔諾貝爾獎得主。
中村是日本唯一同時擁有諾貝爾獎、富蘭克林獎章、查爾斯·斯塔克·德雷珀獎、全球能源獎、全美發明家殿堂這5大榮譽的科學家。
1993年，中村修二對名古屋大學的赤崎勇、天野浩師徒有關p型GaN（氮化鎵）的早期貢獻，提出正確的理論解釋，並獨立發明以InGaN（基於氮化銦鎵）晶體製作藍色發光元件的雙流式MOCVD方法（Two flow MOCVD），使得高亮度藍色發光二極管正式實用化，開啟愛迪生發明白熾燈之後的又一次人類照明革命。
1954年5月22日，中村修二誕生於愛媛縣西宇和郡四濱村。1965年遷居兵庫縣尼崎市，後來就讀愛媛縣立大洲高等學校普通科，亦參加排球社。1973年畢業後，原欲投考物理科系，但出於「就業不易」的考量，最終選擇沒有物理系的德島大學。1977年從工學部電氣工程科畢業，1979年獲得同校工學碩士學位。完成學業後，中村原定進入京瓷公司[5]。但為照顧大學時代出生的小孩，改入鄰近的日亞化學工業（日亞化）公司，在開發課工作。
中村就職後，竭力主張開發藍色激光二極管的前景，日亞化因此撥給中村3億日圓的研發經費。1987年至1988年9月，中村赴美國佛羅里達大學留學一年，回到日亞化投入2億日圓着手改造有機金屬化學氣相沉積法裝置。儘管受到公司新社長的反對，但中村仍堅持進行研究活動。
1993年，中村發明雙流式MOCVD方法，日亞化得以量產實用級高亮度藍色發光二極管，並取得LED照明市場的全球獨霸地位，其後數年獲利達數千億日圓。翌年以論文「InGaN高亮度藍色LED的相關研究」取得德島大學論文博士學位（工學）。1995年，他成功實現InGaN/GaN藍色激光二極管的室溫下脈衝振盪。
1999年，中村離職，翌年應楊祖佑之邀擔任加州大學聖塔芭芭拉分校材料工學院教授。
中村修二發明的雙流式MOCVD方法即通稱的404專利。中村赴美後，圍繞着專利與專利轉讓問題，中村與日亞化展開了一系列訴訟。[6]2004年1月30日，中村正式控告日亞化，要求補償發明的對價。一審法庭基於「中村的發明貢獻不小於一半」的判斷，判決日亞化需支付200億日圓。但東京高等法院最終在2005年1月11日做出「建議和解」的裁決，日亞化支付中村8億4000萬日圓，自此買斷中村在該公司的所有發明。當日，中村修二及其律師在記者會抨擊「日本司法制度很爛」[7]。
赴美成為加州大學教授之後，中村修二亦陸續兼任信州大學（2002年）、愛媛大學（2006年）客座教授，以及復旦大學（2009年）顧問教授[9]。
2005年，中村發明可以簡單地將水光電解取出氫氣的方法。2007年1月，他宣佈發明世界第一個非極性藍紫色激光二極管。
中村修二名列2002年湯森路透引文桂冠獎，並在2014年與赤崎勇、天野浩同獲諾貝爾物理學獎。天野教授其時謙稱：「中村先生是實驗之神，迅速推進藍光LED的實用化。讓氮化鎵材料受到重視的最大功臣，除了中村沒有第二個人。」[10]根據諾貝爾獎委員會，有關3人貢獻的主要區別是：[11]
在2014年《日本經濟新聞》的專訪中，中村解釋自己為何入籍美國：
| “ | 要從事這方面研究，沒有美國國籍就無法獲得軍方的預算，同時無法從事與軍方相關的研究。因此我取得了公民權。[17] | ” |
| “ | 我認為中村先生帶着很大的勇氣來主張自己應有的權利。現在他正站在美國的講臺上執教。作為一名日本人，對此我感到很失落。如果日本的年輕人能夠跟隨開發出了偉大技術的研究人員學習，讓其後繼有人，那該多好啊！[18] | ” |
2015年5月3日，中村修二在一場與JAXA負責人川口淳一郎的對談中表示，江崎玲於奈（1973年諾貝爾物理學獎得主）是他「尤其尊敬的人物」。江崎發明了對LED至為重要的超晶格[19]。
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