硒化鉍

硒化鉍（Bi₂Se₃）是一種灰色粉末，它是一種半導體，為熱電材料。^[4]具有完美化學計量比的硒化鉍是半導體，帶寬為0.3 eV，其硒空穴是電子授體，化學性質類似半金屬。^[5]在硒化鉍中，觀察到了拓撲保護表面態，^[6]它是現在科學研究的主題。^[7]

硒化鉍
IUPAC名 selenoxobismuth, selanylidenebismuth [1]
識別
CAS號	12068-69-8  Y
PubChem	6379269
SMILES	[Se-2].[Se-2].[Se-2].[Bi+3].[Bi+3]
EINECS	235-104-7
性質
化學式	Bi2Se3
摩爾質量	654.8[2] g·mol⁻¹
外觀	暗灰色固體[3]
密度	6.82 g/cm3[2]
熔點	710 °C（983 K）
溶解性（水）	不溶
溶解性	不溶於有機溶劑 可溶於強酸[2]
結構
晶體結構	三方晶系
熱力學
ΔfHm⦵298K	-140 kJ/mol
危險性
主要危害	有毒[3]
NFPA 704	0 2 0
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

參見

• 熱電材料

參考文獻

1. Bismuth(III) selenide - PubChem Public Chemical Database. Pubchem.ncbi.nlm.nih.gov. 2011-10-21 [2011-11-01].
2. bismuth selenide | Bi2Se3. ChemSpider. [2011-11-01]. （原始內容存檔於2015-07-03）.
3. Bismuth Selenide | Bismuth Selenide. Espimetals.com. [2011-11-01]. （原始內容存檔於2011-09-08）.
4. Mishra, S K; S Satpathy; O Jepsen. Electronic structure and thermoelectric properties of bismuth telluride and bismuth selenide. Journal of Physics: Condensed Matter. 1997-01-13, 9: 461–470 [2011-11-01]. ISSN 0953-8984. doi:10.1088/0953-8984/9/2/014. （原始內容存檔於2014-06-24）.
5. Hor, Y. S.; A. Richardella; P. Roushan; Y. Xia; J. G. Checkelsky; A. Yazdani; M. Z. Hasan; N. P. Ong; R. J. Cava. p-type Bi_{2}Se_{3} for topological insulator and low-temperature thermoelectric applications. Physical Review B. 2009-05-21, 79 (19): 195208 [2011-11-01]. doi:10.1103/PhysRevB.79.195208.
6. Hsieh, D.; Y. Xia; D. Qian; L. Wray; J. H. Dil; F. Meier; J. Osterwalder; L. Patthey; J. G. Checkelsky; N. P. Ong; A. V. Fedorov; H. Lin; A. Bansil; D. Grauer; Y. S. Hor; R. J. Cava; M. Z. Hasan. A tunable topological insulator in the spin helical Dirac transport regime. Nature. 2009, 460 (7259): 1101–1105 [2010-03-25]. ISSN 0028-0836. PMID 19620959. doi:10.1038/nature08234.
7. Brumfield, Geoff. Topological insulators: Star material : Nature News. Nature. 2010-07-14, 466: 310–311 [2010-08-06]. PMID 20631773. doi:10.1038/466310a. （原始內容存檔於2017-10-12）.