氧化鎵是鎵最穩定的氧化物，化學式為Ga2O3，是一種白色的晶體粉末，具有兩性。它是作為製造半導體器件的一部分。
| 氧化鎵 | |
|---|---|
| |
| 別名 | 氧化鎵(III) 三氧化二鎵 |
| 識別 | |
| CAS號 | 12024-21-4 
|
| PubChem | 5139834 |
| ChemSpider | 4313617 |
| SMILES |
|
| InChI |
|
| InChIKey | QZQVBEXLDFYHSR-OGCFUIRMAC |
| RTECS | LW9650000 |
| 性質 | |
| 化學式 | Ga2O3 |
| 摩爾質量 | 187.444 g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 白色晶體粉末 |
| 密度 | 6.44 g/cm3（α） 5.88 g/cm3（β） |
| 熔點 | 1900 °C（2173 K） |
| 溶解性（水） | 難溶 |
| 溶解性 | 可溶於酸和鹼金屬氫氧化物溶液 |
| 危險性 | |
| 歐盟分類 | 未列出 |
| 相關物質 | |
| 其他陰離子 | 硫化鎵 硒化鎵 碲化鎵 |
| 其他陽離子 | 氧化硼 氧化鋁 氧化銦 氧化鉈 |
| 相關化學品 | 氧化亞鎵 氫氧化鎵 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
製備
氧化鎵可以通過在空氣中加熱金屬鎵或在200~250℃熱分解硝酸鎵得到。氧化鎵有五種形態——α, β, γ, δ和ε，其中β-Ga2O3是最穩定的形態。[1]
- 2 C + Ga2O3 → Ga2O + 2 CO
- Ga2O3 + 3 C → 2 Ga + 3 CO
- 2 Ga2O + 2 O2 → 2 Ga2O3
- 4 Ga + 3 O2 → 2 Ga2O3
化學性質
氧化鎵可以和鹼金屬氧化物在高溫反應，產生偏鎵酸鹽，如NaGaO2；和Mg、Zn、Co、Ni、Cu的氧化物加熱形成尖晶石型晶體，如MgGa2O4。[4]
它溶於鹼金屬氫氧化物溶液，形成Ga(OH)−
4羥基配離子。
它和氯化氫氣體在氬氣氣氛中反應，生成無水三氯化鎵GaCl3：[5]
- Ga2O3 + 6 HCl → 2 GaCl3 + 3 H2O
和氟氣反應，產生無水氟化鎵；溶於50%氫氟酸，生成氟化鎵的三水合物：[6]
- Ga2O3 + 6 HF → 2 GaF3·3H2O
它可以被氫氣還原為氧化亞鎵（一氧化鎵）Ga2O，[7]也可以被單質鎵還原：[8]
- Ga2O3 + 2 H2 → Ga2O + 2 H2O
- Ga2O3 + 4 Ga → 3 Ga2O
參考文獻
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