異質接面雙載子電晶體（英語：heterojunction bipolar transistor，縮寫：HBT）是雙極性電晶體的一種，它的發射區和基區使用了不同的半導體材料，這樣，發射結（即發射區和基區之間的PN接面）就形成了一個異質接面。異質接面雙載子電晶體比一般的雙極性電晶體具有更好的高頻訊號特性和基區發射效率，可以在高達數百GHz的訊號下工作。它在現代的高速電路、射頻系統和流動電話中應用廣泛。對異質接面雙極型電晶體的研究始於1951年。[1]
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參考文獻
外部連結
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