小外形雙列直插式主記憶體模組(英語:small outline dual in-line memory module),通常簡稱為SO-DIMMSODIMM,它是一種採用集成電路電腦記憶體。SO-DIMM類似DIMM,但它的體積更小,大約是常規DIMM的一半。

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一個200針PC6400 DDR2 SO-DIMM
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一個204針PC3-10600 DDR3 SO-DIMM
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對200針DDR、DDR2 SDRAM SO-DIMM和204針DDR3 DIMM模組的比較

SO-DIMM經常用於空間有限的系統,例如手提電腦、基於Mini-ITX主機板的小體積個人電腦,高端可升級辦公印表機,以及諸如路由器NAS裝置等網絡硬件英語Networking hardware

外觀辨識

大多數SO-DIMM的類型可直觀的通過不同的凹槽缺口辨識,它們用於不同的平台:[1]

  • 100針SO-DIMM有兩個缺口。[2]
  • 144針SO-DIMM在中心附近有一個缺口。[3]
  • 200針SO-DIMM在更靠近一側處有一個缺口。[4]此缺口的確切位置有差異(請見下文)。
  • 204針SO-DIMM(DDR3)有比200針SO-DIMM的靠近中心的缺口更靠近中心的缺口。[5]
  • 260針SO-DIMM(DDR4),寬度69.6 mm(2.74英寸) ,高度30 mm(1.2英寸),這使它比DDR3 SO-DIMM高2 mm(0.079英寸),在144針後有一個缺口。[6]
  • 260針SO-DIMM(UniDIMM英語UniDIMM),寬度69.6 mm(2.74英寸),高度30 mm(1.2英寸) or 20 mm(0.79英寸),有一個與DDR3 SO-DIMM不同的缺口。[7][8]

200針SO-DIMM的變種

200針SO-DIMM可以為DDR或DDR2類型。這兩種情況下,缺口位於板卡長度的五分之一處(20針+缺口80針),但在DDR2中該缺口位於靠近板卡中心的位置。這兩種類型的主記憶體不能互換。不同的缺口位置是為防止較差安裝,同時幫助直觀地視覺辨識200針SO-DIMM模組。

這種差異設計是為避免將電氣不相容的不同DDR世代主記憶體和控制器聯接。DDR SO-DIMM工作電壓為2.5 V,而DDR2 SO-DIMM則為1.8 V。[9]

一般特徵

200和204針SO-DIMM長度為67.6 mm(2.66英寸) 寬度為31.75 mm(1.250英寸),最大總深度為3.8 mm(0.15英寸)。[10]

SO-DIMM在功率和電壓額定值上或多或少等同DIMM,並且儘管記憶體模組的尺寸較小,SO-DIMM技術並不會比DIMM得到更低的效能。例如,DDR3 SO-DIMM提供533 MHz(1066 MT/s,PC3-8500)的時鐘速度,CAS深度英語CAS latency為7,並且有單個模組4 GB的高容量。[11]

DDR2 SO-DIMM主記憶體模組通常有200 MHz至400 MHz(PC2-6400)的時鐘速度。[來源請求]204針SO-DIMM也可以包含DDR3 SDRAM,規格如PC3-6400、PC3-8500、PC3-10600、PC3-14900和PC3-17000。[12] 260針UniDIMM英語UniDIMM可能包含DDR3或DDR4 SDRAM,這取決於其組態。部分SO-DIMM也提供ECC功能;無緩衝英語Unbuffered memory的ECC SO-DIMMs稱為SO-CDIMM。[13]

參見

參考資料

外部連結

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