Chemical vapor deposition

at American Elements "Indium‐tin oxide thin films prepared by chemical vapor deposition". [2017-11-05]. （原始内容存档于2017-11-07）.  "High-efficiency copper

Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上生长半導體薄膜的一種方法。 其他類似的名稱如：金属-有机化合物/金属有机化合物气相外延生长法（MOVPE，Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy；OMVPE ，Organometallic Vapor-Phase

Högberg, A. Hårsta. Atomic Layer Deposition of Ta2O5 Using the TaI5 and O2 Precursor Combination. Chemical Vapor Deposition. 2003-10-16, 9 (5): 245–248 [2020-12-10]

化學氣相沉積（英語：chemical vapor deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通

不锈钢材料的耐磨和耐腐蚀性能。此过程处理是通过扩散而不是涂层，应用PVD和PECVD（英语：Plasma-enhanced chemical vapor deposition）涂层混合技术，可更好的控制氮化层特性。 典型的等离子渗氮结果 (PDF). Rubig. [2021-06-22]. （原始内容存档