短溝道效應

短溝道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾納米、甚至幾納米量級時，晶體管出現的一些效應。這些效應主要包括閾值電壓隨着溝道長度降低而降低、漏致勢壘降低（英語：Drain-induced barrier lowering）、載流子表面散射、速度飽和（英語：Saturation velocity）、離子化和熱電子效應。^[4][5]

「短溝道效應」的各地常用名稱
中國大陸	短溝道效應
臺灣	短通道效應[1][2][3]

參考文獻

引用

1. Chapter 2 奈米金氧半電晶體2.1 簡介 - Advanced Silicon .... 國立臺灣大學電機工程學系. [2015-03-02]. （原始內容存檔於2015-04-02）.
2. 施敏 2008. sfn error: no target: CITEREF施敏2008 (help)
3. 施敏 2009. sfn error: no target: CITEREF施敏2009 (help)
4. Advanced MOSFET issues. University of Colorado. [2015-03-01]. （原始內容存檔於2012-06-15）.
5. Brian Winstead; Umberto Ravaioli , Senior Member, IEEE. Simulation of Schottky Barrier MOSFET’s with a Coupled Quantum Injection/Monte Carlo Technique (pdf). IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 47, NO. 6,. uiuc: p.1241. JUNE 2000 （英語）. 引文使用過時參數coauthors (幫助); 請檢查|date=中的日期值 (幫助) 引文格式1維護：冗餘文本 (link)

書目

• 施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(上冊). 臺灣: 國立交通大學. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. 引文使用過時參數coauthors (幫助)（繁體中文）
• 施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(下冊). 臺灣: 國立交通大學. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. 引文使用過時參數coauthors (幫助)（繁體中文）

相關條目

• 通道長度調變（英語：Channel length modulation）
• 逆向短通道效應（英語：Reverse short-channel effect）