掃描電化學顯微鏡(英語:Scanning electrochemical microscopy,縮寫SECM)基於電化學原理工作,利用驅動非常小的電極(探針)在靠近樣品處進行掃描,樣品可以是導體、絕緣體或半導體,可測量微區內物質氧化或還原所給出的電化學電流,進而確定界面上的電化學行為。[1][2][3][4][5]目前可達到的最高分辨率約為幾十納米。這一技術也可以被用於微觀刻印和微結構的創造[6]
歷史
1980年左右,超微電極的出現對於發展高敏感度電分析技術是關鍵的。將超微電極用作探針,就可以研究局部快速進行的電化學反應。1986年Engstrom進行了第一次類似掃描電化學顯微鏡的實驗,觀察到了反應情況和中間體。[7] 同時,阿蘭·J·巴爾德通過分析法拉第電流導致的測量偏差,對電化學顯微鏡的原理進行了徹底的分析[8]1989年巴爾德正式建立了掃描電化學顯微鏡的理論原理,也創造了這個詞彙。當時研究者採用的是收集模式,而巴爾德引入反饋模式,擴大了掃描電化學顯微鏡的應用範圍。[9]
隨着理論基礎的發展,1999年有關SECM的文獻已經增加到了80篇,第一台商用的SECM也誕生了[10]今日,掃描電化學顯微鏡的應用範圍在擴大,精度也在提高,理論和技術上的研究仍在不斷深入。[11]
工作原理
在含有氧化-還原對(如Fe2+/Fe3+)的溶液中放置超微電極,用於施加和改變電壓。當足夠的負電勢被施加時,三價鐵會被還原成二價鐵,形成擴散控制的電流[7] 穩態電流與氧化劑的流量的關係是:
此處 iT,∞是擴散控制電流,n是電極上轉移的電子數(O + ne− → R), F是法拉第常數, C是溶液中被氧化物質的濃度, D是擴散係數而a是超微電極盤子的半徑。為了掃描感興趣的表面,探針需要接近表面,然後記錄電流的變化。
現在有兩種主要的工作原理,反饋模式和獲取-產生模式
參考文獻
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