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隧道磁阻
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隧道磁阻(英語:TMR, Tunnel Magnetoresistance),又稱穿隧磁阻,是發生在磁隧道結(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)中的磁阻效應,由一個薄絕緣體及被其隔開的兩個鐵磁體組成的組件。絕緣層足夠薄(通常為幾納米)的情況下,電子可以從一個鐵磁體隧穿過去另一邊。由於這個過程在古典物理學中不可能實現的,所以隧道磁阻是一種嚴格的量子力學現象。
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磁性隧道結通過薄膜技術進行製造。工業規模上的薄膜沉積通過磁控濺射沉積完成;實驗室規模通過分子束外延、脈衝激光沉積以及電子束物理氣相沉積製備。隧道的結通過光刻法製備。