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日本工程学、物理学家,高亮度蓝色发光二极管发明者 来自维基百科,自由的百科全书
赤崎勇(日语:赤﨑 勇/あかさき いさむ Akasaki Isamu ?,1929年1月30日—2021年4月1日),日本化学工程学家,名古屋大学工学博士。曾任松下电器研究员、名城大学终身教授、名古屋大学特别教授及名誉教授。美国国家工程院外籍院士。IEEE Fellow。紫绶褒章、文化勲章、勋三等旭日中绶章表彰。文化功劳者。
赤崎勇 赤﨑 勇(あかさき いさむ) | |
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出生 | 大日本帝国鹿儿岛县川边郡知览村(现南九州市) | 1929年1月30日
逝世 | 2021年4月1日 日本爱知县名古屋市 | (92岁)
国籍 | 日本 |
母校 | 京都大学 名古屋大学 |
知名于 | 开发氮化镓结晶化技术,完成世界第一个高亮度的蓝色发光二极管 |
配偶 | 赤崎陵子 |
奖项 | C&C奖(1998) IEEE Jack A. Morton Award(1998) 朝日奖(2000) 文化功劳者(2004) 京都奖(2009) IEEE爱迪生奖章(2011) 文化勋章(2011) 日本学士院奖・恩赐奖(2014) 诺贝尔物理学奖(2014) 查尔斯·斯塔克·德雷珀奖(2015) |
科学生涯 | |
研究领域 | 物理学、工程学 |
机构 | 松下电器 名城大学 名古屋大学 |
博士生 | 天野浩 |
备注 | |
亲属: 赤崎正则(兄) |
赤崎教授于2014年凭借“发明高亮度蓝色发光二极管,带来了节能明亮的白色光源”与天野浩、中村修二共同获得诺贝尔物理学奖[1],他也是继罗伯特·密立根之后,史上第2位兼有诺贝尔奖暨IEEE爱迪生奖章荣誉的科学家。
1929年1月30日,赤崎勇出生于日本鹿儿岛县,幼时曾有躲避美军战机的经历,终身反战。1952年京都大学理学部毕业,1964年获得工学博士(名古屋大学)学位。其后曾服务于神户工业(现电装天)、名古屋大学、松下电器等单位。
在1960年代末,他开始工作于氮化镓(GaN)基蓝光LED。一步一步,他改进的GaN晶体质量和器件结构[2],在松下研究所东京公司(MRIT)那里,他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。
1986年,赤崎勇以低温沉积(AlN)氮化铝缓冲层技术成功生产高品质的GaN晶体。1989年,他与门生天野浩完成p型GaN的结晶化,首次观测到p型材料的剧烈发光,并以GaN的pn构成完成了蓝色发光二极管。同一时期,赤崎的学生也包括日后的中国知名企业家唐骏[3]。
1990年,赤崎师徒完成室温下紫外线暴露GaN的诱导放射。基于上述的各阶段突破,1992年,他们发明了人类史上第一个高亮度蓝色发光二极体。1995年,进一步完成注入量子多重化电流的GaN/GalnN诱导放射。自此开始,赤崎勇就一直是热门的诺贝尔奖候选人之一[4][5]。在2009年至2014年的名古屋大学官方简介中,赤崎一直与另外4位名大的诺贝尔奖得主(野依、小林、益川、下村)并列。
赤崎教授的发明产生了专利,专利被奖励特许权使用费,其中一部份用于建立2006年10月20日开设的“名古屋大学赤崎纪念研究馆”(Nagoya University Akasaki Institute)[6] 。研究馆建有一个展示蓝光LED研究/开发和应用的历史的LED画廊,一个科研合作办公室,一个创新研究实验室,和赤崎教授的顶部六楼的办公室。该研究馆坐落在名古屋大学东山校区合作研究区域的中心。
赤崎勇与天野浩、中村修二于2014年10月7日获得诺贝尔物理学奖。翌日赤崎与江崎玲於奈(1973年诺贝尔物理学奖得主)进行电话会谈,他们讨论了彼此发明的社会影响力,也提到“日本人特有的毅力”是成功的重要原因[7]。
赤崎是首位九州出身的日本人诺贝尔奖得主[8],亦缔造若干国内纪录,包括首次师徒同时获奖(与天野浩);获奖年龄第二高(85岁,仅次于南部阳一郎的87岁);最高龄出席颁奖典礼。
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