一块半导体晶体一侧掺杂成p型半导体，另一侧掺杂成n型半导体，中间二者相连的接触面间有一个过渡层，称为pn接面、p-n接面（p-n junction）。pn接面是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
历史
1948年，威廉·肖克利的论文《半导体中的pn接面和pn接面型晶体管的理论》发表于贝尔实验室内部刊物。肖克利在1950年出版的《半导体中的电子和空穴》中详尽地讨论了接面型晶体管的原理，与约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿共同发明的点接触型晶体管所采用的不同的理论。
原理
掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含自由电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。
掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。
上面叙述的两种半导体在外加电场的情况下，会作定向运动。这种运动称为电子与空穴（统称“载流子”）的“漂移运动”，并产生“漂移电流”。
根据静电学，电子将作与外加电场相反方向的运动，并产生电流（根据传统定义，电流的方向与电子运动方向相反，即和外加电场方向相同）；而空穴的运动方向与外加电场相同，由于其可被看作是“正电荷”，将产生与电场方向相同的电流。
两种载流子的浓度越大，所产生的漂移电流越大。
由于某些外部条件而使半导体内部的载流子存在浓度梯度的时候，将产生扩散运动，即载流子由浓度高的位置向浓度低的位置运动。
采用一些特殊的工艺（见本条目后面的段落），可以将上述的P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起。在二者的接触面的位置形成一个pn接面。
p型、n型半导体由于分别含有较高浓度的“空穴”和自由电子，存在浓度梯度，所以二者之间将产生扩散运动。即：
- 自由电子由n型半导体向p型半导体的方向扩散
- 空穴由p型半导体向n型半导体的方向扩散
载流子经过扩散的过程后，扩散的自由电子和空穴相互结合，使得原有的N型半导体的自由电子浓度减少，同时原有P型半导体的空穴浓度也减少。在两种半导体中间位置形成一个由N型半导体指向P型半导体的电场，称为“内电场”。
性质
pn接面在没有外加电压情况下，跨接面形成了电势差导致了平衡状态。该电势差称为内建电势（built-in potential）。
pn接面的n区的电子向p区扩散，留下了正电荷在n区。类似地，p型空穴从p区向n区扩散，留下了负电荷在p区。进入了p区的电子与空穴复合，进入了n区的空穴与电子复合。其效果是扩散到对方的多数载流子（自由电子与空穴）都耗尽了，接面区只剩下不可移动的带电离子，失去了电中性变为带电，形成了耗尽层（space charge region）（见图A）。
耗尽区的电场与电子与空穴的扩散过程相反，阻碍进一步扩散。载流子浓度确定的平衡态在图A中表示为红线与蓝线。
耗尽层的多数载流子已经全部耗尽，留下的电荷密度等于净掺杂水平。当平衡达到时，电荷密度近似显示为阶梯函数，耗尽层与中立区的边界相当陡峭。（见图B的Q(x)图）。耗尽层在pn接面两侧有相同量的电荷，因此它向较少掺杂的一侧延展更远（图A与图B的n端）。
若施加在p区的电压高于n区的电压，称为正向偏置（forward bias）。
在正向偏置电压的外电场作用下，N区的电子与P区的空穴被推向pn接面。这降低了耗尽区的耗尽宽度。这降低了pn接面的电势差（即内在电场）。随着正向电压的增加，耗尽区最终变得足够薄以至于内电场不足以反作用抑制多数载流子跨pn接面的扩散运动，因而降低了pn接面的电阻。跨过pn接面注入p区的电子将扩散到附近的电中性区。所以pn接面附近的电中性区的少数载流子的扩散量确定了二极管的正向电流。
仅有多数载流子能够在半导体材料中长距离移动。因此，注入p区的电子不能继续移动更远，而是很快与电洞复合。少数载流子在注入中性区后移动的平均距离称为扩散长度（diffusion length），一般来说仅有微米等级。[1]
虽然跨过p-n结的电子在p-区只能穿透短距离，但正向电流不被打断，因为空穴（p-区的多数载流子）在外电场驱动下在向相反方向移动。从p-区跨越pn接面注入n-区的空穴也具有类似性质。
正向偏置下，跨pn接面的电流强度取决于多数载流子的密度，这一密度随正向偏置电压的大小成指数增加。这使得二极管可以导通正向大电流。
若施加在n区的电压高于p区的电压，这种状态称为pn接面的反向偏置（英语：reverse bias）。在反向偏置下，外部电场让p区和n区的多数载子被拉向两极，所以空乏层变厚，所以多数载子扩散通过pn接面的势垒会增大。
理想上反向偏置时的pn接面处于截止状态，可视为断路。不过实际上依然存在极其微弱的反向电流，称为反向饱和电流。这股电流的成因是空乏区的少数载子（p区中的电子和n区中的电洞）热生成和扩散。之所以称为“饱和”是因为它的值几乎不随著逆向偏压的增大而变化，只取决于少数载子的掺杂浓度。反向饱和电流的典型值很小（对于矽而言，为10−18到10−12安培等级[2]），所以现实中反向偏置的pn接面可以视为电阻极大。
当加在pn接面上的反向电压，反向饱和电流不变，但是反向电压当超过一定数值（崩溃电压）时，pn接面的电阻突然减小，反向电流急剧增大，这种现象称为电击穿。电击穿分为突崩溃和齐纳崩溃，两者都是可逆的。
突崩溃的原理如下。当逆向偏压会加速pn接面中的自由载子，给予它们动能；当逆向偏压超过临界值，动能过大，以至于它们与空乏层的原子碰撞时，足以使价电子游离，产生电子电洞对（此过程称为碰撞游离）。由于载子数量倍增，可以促使载子和原子之间发生更多次碰撞游离，形成连锁反应，使人观察到电流急遽增长（随电压增加的速率甚至超过指数增长），如同雪崩（avalanche），故突崩溃在英文被命名为（avalanche breakdown）。
掺杂浓度越低，要驱动碰撞游离所需的电场越强，崩溃电压也就越高。相反地，当掺杂浓度非常高时，只要在pn接面两端施加较弱的逆向偏压，就足以使价电子脱离原子的束缚。这种情形也有可能出现载子数量倍增的现象，这就是齐纳击穿（Zener breakdown）。
一般小于6V的逆向偏压引起的是齐纳击穿，大于6V的引起的是雪崩击穿。[3]
由于电击穿发生时，流经二极体的电流是逆向电流，这相当于pn接面不再具有单向导电性。逆向电流过大可能对二极体造成不可恢复的损坏。不过也有专门利用齐纳击穿制造的稳压二极体，称为齐纳二极体。
pn接面的最大特性为单向导电性，反映到伏安特性曲线如右图。当正向电压达到一定值时，pn接面将产生正向偏置，pn接面被导通（图中蓝色部分）；当反向电压在一定范围内时，pn接面产生微弱的反向饱和电流（图中绿色部分）；当反向电压超过一定值时，pn接面被击穿（图中黄色部分）。
在pn接面（两种半导体的交界处）会因为外加电压产生一定电荷积累，即结电容（）效应。根据成因分为“势垒电容”（）和“扩散电容”（）。结电容满足：
当外加电压的时候，“耗尽层”的厚度发生变化，将会引起其电荷量的变化。从而产生等效的电容效应，即“势垒电容”。它与pn接面面积、耗尽层宽度、半导体介电常数和外加电压都有关系。
当外加电压变化时，扩散区（参见上文所述扩散运动）内电荷的积累和释放过程将产生等效于电容的充放电过程，故等效于一个“扩散电容”。
应用
由于pn接面的单向导电性，可以利用它作为基础制造半导体二极管、三极管等电子元件，例如常用的稳压二极管、光电二极管、发光二极管（LED）等。
参见
参考资料
延伸阅读
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