萨支唐
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萨支唐(1932年11月10日—),美国华裔物理学家,主要从事微电子学研究。目前是美国佛罗里达大学教授,也是美国工程院院士、中央研究院院士、中国科学院外籍院士。
萨支唐籍贯中国福建省福州市,1932年生于北平。萨支唐是福州萨氏家族成员,是元代蒙古官员萨都剌后裔,其父萨本栋是第一届中央研究院院士、厦门大学前校长。[1]萨支唐于1949年赴美国就读于伊利诺伊大学,1953年获得学士学位后又到斯坦福大学学习,并于1956年在斯坦福大学获得博士学位。1956年起,他跟随肖克利在工业界共同从事固态电子学方面的研究,1959年至1964年供职于仙童公司。1964年他来到伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校任物理系和电子及计算机系教授达26年,培养出40名博士。1988年起,他在佛罗里达大学担任教授至今。他还有一位弟弟萨支汉是纽约州立大学石溪分校的数学教授。[2]
在仙童公司期间,萨支唐带领一个64人的研究组从事第一代硅基二极管、MOS晶体管和集成电路的制造工艺研究,是半导体工业先驱之一。他提出了半导体PN结中电子-空穴对复合理论(generation of electron-hole pair),和其他科学家共同开发出MOS、CMOS场效应晶体管,还提出了MOS晶体管模型。此外,他还发明了深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy,DLTS)方法用于探测半导体内的缺陷。目前他的研究方向主要是在亚微米MOS晶体管的可靠性研究。目前,萨支唐已发表了大约280篇学术论文,并应邀做了约170次学术演讲。[3][4][5]
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