Indi phosphide

Indi phosphua hay phosphua indi (InP) là một chất bán dẫn nhị phân bao gồm indi và phosphor. Nó có cấu trúc tinh thể hình khối đặt chính giữa mặt ("Zincblende"), giống hệt với GaAs và hầu hết các chất bán dẫn III-V.^[5]

Indi phosphide
Tên khác	Indi(III) phosphua
Nhận dạng
Số CAS	22398-80-7
PubChem	31170
Ảnh Jmol-3D	ảnh 2
SMILES	đầy đủ [In+3].[P-3] [In]#P
InChI	đầy đủ 1/In.P/rInP/c1-2
Thuộc tính
Công thức phân tử	InP
Khối lượng mol	145.792 g/mol
Bề ngoài	tinh thể lập phương đen
Khối lượng riêng	4.81 g/cm³, rắn
Điểm nóng chảy	1.062 °C (1.335 K; 1.944 °F)
Điểm sôi
Độ hòa tan	tan ít trong axit[1]
BandGap	1.344 eV (300 K; direct)
ElectronMobility	5400 cm²/(V•s) (300 K)
Độ dẫn nhiệt	0.68 W/(cm•K) (300 K)
Chiết suất (nD)	3.1 (infrared); 3.55 (632.8 nm)[2]
Cấu trúc
Cấu trúc tinh thể	Zinc blende
Hằng số mạng	a = 5.8687 Å [3]
Tọa độ	Tetrahedral
Nhiệt hóa học
Enthalpy hình thành ΔfHo298	-88.7 kJ/mol
Entropy mol tiêu chuẩn So298	59.8 J/(mol•K)
Nhiệt dung	45.4 J/(mol•K)[4]
Các nguy hiểm
Nguy hiểm chính	Độc, thủy phân ra phốtphin
Các hợp chất liên quan
Anion khác	Indi nitride Indi arsenua Indi antimonua
Cation khác	Nhôm phosphua Gali phosphua
Hợp chất liên quan	Indi gali phosphua Nhôm gali indi phosphua Gali indi arsenua antimonua phosphua
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). Y kiểm chứng (cái gì YN ?) Tham khảo hộp thông tin

InP được sử dụng cùng với indi gali arsenua để tạo ra transistor lưỡng cực dị thể giả (pseudomorphic heterojunction bipolar transistor) có thể hoạt động ở tần số 604 GHz.^[6]

Tham khảo

1. Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản thứ 87), Boca Raton, Florida: CRC Press, tr. 4–61, ISBN 0-8493-0594-2
2. Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu (1993), “The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry”, Journal of Materials Science Letters, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
3. “Basic Parameters of InP”.
4. Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản thứ 87), Boca Raton, Florida: CRC Press, tr. 5–20, ISBN 0-8493-0594-2
5. Indium Phosphide at HSDB
6. Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier. April 2005

Liên kết ngoài