From Wikipedia, the free encyclopedia
Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom (angl. insulated-gate bipolar transistor, skrátene IGBT) je druh tranzistorov pre veľmi vysoké spínané výkony (rádovo niekoľko desiatok kW) a frekvenciu spínania do 20kHz. Už s názvu vyplýva, že IGBT využíva výhodu jednoduchého riadenia MOSFET a nízky odpor bipolárnych tranzistorov.
Sú potrebné pri zariadeniach ako napr. meniče (DC/AC, AC/AC).
Pred zhruba 10-20 rokmi bolo pomerne ťažké vytvárať krátke vysokovýkonové impulzy rádu desiatok kW, pretože bipolárne tranzistory a hlavne tyristory boli síce výkonné, ale pomalé. Výkonové MOSFET so schopnosťou blokovať vysoké napätia mali zas veľmi veľký odpor v zopnutom stave a tým vznikali veľké výkonové straty, čo významne znižovalo účinnosť výkonových meničov.
Preto sa vytvorili IGBT. Tie ale boli veľmi drahé a tiež nespoľahlivé. Postupne sa však vyvíjali a ich cena v poslednom čase klesla natoľko, že sú už cenovo dostupné dokonca aj pre hobby.
Výhody:
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.