Акасаки, Исаму

Иса́му Акаса́ки (яп. 赤崎 勇, 30 января 1929, Тиран — 1 апреля 2021, Нагоя) — японский учёный, известный своими работами в области полупроводникового материаловедения и оптоэлектроники. Лауреат Нобелевской премии по физике, член Японской академии наук (2014)^[4]. Изобретатель ярких синих нитрид-галлиевых полупроводниковых светодиодов (1989 год) и впоследствии нитрид-галлиевых синих светодиодов повышенной яркости.

Исаму Акасаки
яп. 赤﨑 勇
Дата рождения	30 января 1929(1929-01-30)
Место рождения	Тиран, Kawanabe district[вд], Кагосима, Япония[1]
Дата смерти	1 апреля 2021(2021-04-01) (92 года)
Место смерти	Нагоя, Япония[2]
Страна	Япония[3]  Японская империя
Род деятельности	физик, профессор, инженер, исследователь
Научная сфера	физик
Место работы	Нагойский университет Matsushita Electric Industrial Университет Мэйдзё[англ.]
Альма-матер	Киотский университет
Учёная степень	доктор инженерии[вд] и бакалавр наук
Награды и премии	Нобелевская премия по физике (2014) Премия Киото (2009)
Медиафайлы на Викискладе

Биография

Родился и вырос в префектуре Кагосима, где во время войны его дом был разрушен, а сам он едва не погиб в результате налёта американской авиации. В 1952 году окончил Киотский университет и некоторое время работал в компании Kobe Kogyo Co. (сейчас Denso Ten^[англ.]). С 1959 года занимался исследовательской работой в области электроники в Нагойском университете и в 1964 году получил степень доктора технических наук. Затем работал в компании Matsushita Electric Industrial, где возглавлял лабораторию фундаментальных исследований и отделение по исследованию полупроводников. С 1981 года профессор факультета электроники Нагойского университета.^[5][6]. С 1992 года работал в Университете Мэйдзё^[англ.], где с 1996 года был директором центра по исследованию нитридных полупроводников. В 2004 году Нагойский университет присвоил ему звание почётного профессора; в 2006 году здесь открылся названный в его честь Институт Акасаки^[7].

С 1973 года проводил полномасштабные исследования, направленные на создание синих полупроводниковых светодиодов. Технология создания красных и зелёных светодиодов была к тому времени разработана. Проблемой было получение нужных полупроводниковых кристаллов хорошего качества; самыми популярными кандидатами были нитрид галлия и селенид цинка, однако последний отличался не очень высокой стабильностью. В 1985 году Акасаки с сотрудниками достиг успеха, предложив выращивать кристаллы нитрида галлия на подложке из сапфира, покрытой буферным слоем нитрида алюминия. В 1989 году они показали, что легирование атомами магния превращает кристалл нитрида галлия в полупроводник p-типа, способный давать гораздо более интенсивное свечение. На этой основе в начале 1990-х годов были созданы первые синие светодиоды^[7][5].

Награды и отличия

• 1991 — Премия газеты «Тюнити»^[яп.]
• 1995 — Золотая медаль Генриха Велкера^[нем.]
• 1996 — Медаль с Пурпурной Лентой^[яп.]
• 1998 — Премия Ранка
• 1998 — C&C Prize
• 1999 — Медаль Гордона Мура^[англ.]
• 1999 — Toray Science and Technology Prize
• 2000 — Премия Асахи
• 2002 — Орден Восходящего солнца
• 2002 — Премия Фудзивары^[яп.]
• 2004 — Заслуженный деятель культуры^[англ.]
• 2008 — Иностранный член Национальной инженерной академии США^[8]
• 2009 — Премия Киото по передовым технологиям^[9]
• 2011 — Орден Культуры
• 2011 — Медаль Эдисона^[10]
• 2014 — Императорская премия Японской академии наук
• 2014 — Нобелевская премия по физике совместно с Хироси Амано и Сюдзи Накамурой^[11].
• 2015 — Премия Чарльза Старка Дрейпера (в числе награждённых также Сюдзи Накамура и Ник Холоньяк).
• 2021 — Премия королевы Елизаветы II в области инженерного дела

Избранные публикации

• Amano H., Sawaki N., Akasaki I., Toyoda Y. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer // Applied Physics Letters. — 1986. — Vol. 48. — P. 353–355. — doi:10.1063/1.96549.
• Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI) // Japanese Journal of Applied Physics. — 1989. — Vol. 28. — P. L2112–L2114. — doi:10.1143/JJAP.28.L2112.
• Akasaki I., Amano H., Koide Y., Hiramatsu K., Sawaki N. Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE // Journal of Crystal Growth. — 1989. — Vol. 98. — P. 209–219. — doi:10.1016/0022-0248(89)90200-5.
• Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. Growth and Luminescence Properties of Mg-Doped GaN Prepared by MOVPE // Journal of the Electrochemical Society. — 1990. — Vol. 137. — P. 1639–1641. — doi:10.1149/1.2086742.
• Akasaki I., Amano H., Kito M., Hiramatsu K. Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED // Journal of Luminescence. — 1991. — Vol. 48-49. — P. 666–670. — doi:10.1016/0022-2313(91)90215-H.
• Hiramatsu K., Itoh S., Amano H., Akasaki I., Kuwano N., Shiraishi T., Oki K. Growth mechanism of GaN grown on sapphire with A1N buffer layer by MOVPE // Journal of Crystal Growth. — 1991. — Vol. 115. — P. 628–633. — doi:10.1016/0022-0248(91)90816-N.
• Akasaki I., Sota S., Sakai H., Tanaka T., Koike M., Amano H. Shortest wavelength semiconductor laser diode // Electronics Letters. — 1996. — Vol. 32. — P. 1105–1106. — doi:10.1049/el:19960743.
• Akasaki I., Amano H. Crystal growth and conductivity control of group III nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters // Japanese Journal of Applied Physics. — 1997. — Vol. 36. — P. 5393–5408. — doi:10.1143/jjap.36.5393.
• Takeuchi T., Amano H., Akasaki I. Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells // Japanese Journal of Applied Physics. — 2000. — Vol. 39. — P. 413–416. — doi:10.1143/jjap.39.413.
• Акасаки И. Увлекательные приключения в поисках синего света: Нобелевская лекция // УФН. — 2016. — Т. 186. — С. 504–517. — doi:10.3367/UFNr.2014.12.037725.

Примечания

1. Isamu Akasaki - Facts (англ.) — Nobel Foundation.
2. https://www.nippon.com/en/news/yjj2021040200887/
3. Science in Action, Nobel Prizes 2014 (англ.) — BBC, 2014.
4. Deceased Members Архивная копия от 18 августа 2021 на Wayback Machine (англ.)
5. Koide, 2021.
6. OSA, 2021.
7. Hayes D.C. Akasaki Isamu (англ.). Encyclopedia Britannica (7 апреля 2021). Дата обращения: 19 августа 2021. Архивировано 20 июля 2021 года.
8. Dr. Isamu Akasaki Архивная копия от 6 июня 2021 на Wayback Machine (англ.)
9. Inamori Foundation Архивировано 4 марта 2016 года.
10. IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients (англ.). IEEE. Дата обращения: 7 октября 2014. Архивировано 5 сентября 2016 года.
11. The 2014 Nobel Prize in Physics - Press Release (англ.). Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014. Дата обращения: 7 октября 2014. Архивировано 19 октября 2017 года.

Литература

• Koide Y. Isamu Akasaki in memoriam // Nature Photonics. — 2021. — Vol. 15. — P. 551–552. — doi:10.1038/s41566-021-00852-5.
• Amano H. Isamu Akasaki // Physics Today. — 2021. — Vol. 74(11). — P. 63. — doi:10.1063/PT.3.4886.

Ссылки

• Информация на сайте Нобелевской премии (англ.). Дата обращения: 18 августа 2021.
• In Memoriam: Isamu Akasaki, 1929-2021 (англ.). Optical Society of America (2021). Дата обращения: 18 августа 2021. Архивировано 18 августа 2021 года.