Loading AI tools
Александр Сергеевич Терехов (род. 14 июня 1948, Томск) — советский и российский физик. Доктор физико-математических наук (1991), профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Новосибирского государственного университета (1992)[1].
| Александр Сергеевич Терехов | |
|---|---|
| Дата рождения | 14 июня 1948 (76 лет) |
| Место рождения | |
| Род деятельности | физик |
| Место работы | |
| Альма-матер | |
| Награды и премии |
 |
Специалист в области оптических, фотоэлектрических и фотоэмиссионных явлений в полупроводниковых структурах[2]. Автор и соавтор более 200 научных публикаций[3] и обладает несколькими авторскими свидетельствами на изобретения[2]. Имеет более 1700 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша (2022 год) — 22[4]
А. С. Терехов родился 14 июня 1948 года в Томске в семье служащих. В 1971 году с отличием окончил физический факультет Новосибирского государственного университета по специальности «Физика». После этого работал в Сибирском отделении АН СССР/РАН, пройдя путь от стажёра-лаборанта до старшего научного сотрудника в 1977 году[2].
В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию[2] по теме «Исследование влияния электрического поля на поглощение арсенида галлия»[5]. В 1983—1986 годах заведовал лабораторией оптических процессов в полупроводниках, а c 1986 года — отделом Института физики полупроводников. В 1991 году защитил докторскую диссертацию по теме «Новые фотоэлектрические явления в арсениде галлия вблизи порога межзонных переходов». С 1993 года является заведующим лабораторией неравновесных процессов в полупроводниках Института физики полупроводников[2][6].
В Новосибирском государственном университете работает с 1985 года: сначала ассистентом, затем доцентом, исполняющим обязанности заведующего кафедрой. В 1990—2008 годах заведовал кафедрой физики полупроводников физического факультета. В 1992 году А. С. Терехову было присвоено учёное звание профессора по кафедре физики полупроводников физического факультета НГУ. Читает курс «Введение в специальность (физика полупроводников)»[2].
Под его руководством защищено 8 кандидатских диссертаций[2].
Он является членом Научного совета РАН по проблеме «Физика полупроводников» и членом диссертационных советов в Институте физики полупроводников СО РАН и Институте автоматики и электрометрии СО РАН[2].
Основными направлениями научной деятельности А. С. Терехова являются исследования оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниковых гетероструктурах, оптические и фотоэлектрические методы диагностики полупроводниковых структур, а также разработка новых типов эффективных полупроводниковых эмиттеров электронов и приборов на их основе[7].
Он внёс вклад в понимание того, что кулоновское взаимодействие электронов и дырок определяет форму краёв поглощения широкозонных соединений A3B5 не только при низких, но и при высоких температурах. А. С. Терехов установил, что боковые квазичастицы — экситоны — приводят к разнообразным фотоэлектрическим эффектам вблизи порога межзонных переходов в полупроводниках. Также учёный открыл новый класс баллистических фотоэлектрических явлений при межзонных оптических переходах в полупроводниках и обнаружил новые полупроводниковые фотокатоды для приборов ночного видения и источников монохроматических спинополяризованных электронов[7].
А. С. Терехов изучал оптические и фотоэлектрические явления на атомарно-чистых и покрытых цезием и кислородом[8] поверхностях широкозонных соединениях A3B5 и установил, что электронные состояния на границе раздела полупроводник-адсорбат порождены смешиванием электронных состояний поверхностных атомов. Учёный занимается разработкой новых типов полупроводниковых фотоэмиттеров, позволяющих создавать на их основе сверхчувствительные фотоприёмники для оптической диагностики окружающей среды, медико-биологических и других исследований[7].
- Методические указания по спецкурсу «Введение в специальность». Новосибирск, 1988. (в соавт.)
- Влияние одноосного давления на энергетический спектр экситонов в GaAs // Физика твердого тела. 1981. Т. 23, вып. 5. С. 1407—1410. (в соавт.)
- Альперович, В. Л., Белиничер, В. И., Новиков, В. Н., & Терехов, А. С. Поверхностный фотогальванический эффект в твердых телах. Теория и эксперимент для межзонных переходов в арсениде галлия // Журн. эксперим. и теор. физики. — 1981. — Т. 80. — С. 2298-2311.
- Бакин В. В., Пахневич А. А., Косолобов С. Н., Шайблер Г. Э., Ярошевич А. С.,. Терехов А. С. Преломление термализованных электронов, баллистически эмиттированных в вакуум из p+-GaAs(Cs, O) // Письма в ЖЭТФ. — 2003. — Т. 77. — С. 197—201.
- Novotný, O.; ... Terekhov, A. S.; Vogel, S.; Zajfman, D.; Wolf, A. (2019). "Quantum-state–selective electron recombination studies suggest enhanced abundance of primordial HeH +". Science. 365: 676—679. doi:10.1126/science.aax5921.
{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.) - Orlov, D. A.; Hoppe, M.; Weigel, U.; Schwalm, D.; Terekhov, A. S.; Wolf, A. (2001). "Energy distributions of electrons emitted from GaAs(Cs, O)". Applied Physics Letters. 78: 2721—2723. doi:10.1063/1.1368376.
{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.) - Tereshchenko, O. E.; Chikichev, S. I.; Terekhov, A. S. (1999). "Composition and structure of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs(100) surfaces". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 17: 2655—2662. doi:10.1116/1.581926.
{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.) - Orlov, D. A.; Weigel, U.; Schwalm, D.; Terekhov, A. S.; Wolf, A. (2004). "Ultra-cold electron source with a GaAs-photocathode". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 532: 418—421. doi:10.1016/j.nima.2004.06.048.
{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
- Заслуженный деятель науки РФ (2004)[2].
Wikiwand in your browser!
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.
