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POWER4 é uma CPU que implementa a arquitetura de 64 bits do PowerPC. Lançado em 2001, o POWER4 é baseado no projeto anterior POWER3. O POWER4 é multinúcleo, tendo 2 núcleos PowerPC.
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A unidade funcional do POWER4™ consiste de 2 implementaçõeos de 64 bits da arquitetura PowerPC AS. O POWER4™ tem uma unidade de cache L2 unificada, dividida em três partes iguais. Cada uma tem sua própria controladora de cache que pode alimentar com 32 bytes por ciclo. A Unidade de Interface de Núcleo (Core Interface Unit/CIU) conecta cada controladora para cada cache de dados ou instrução nos dois processadores. A Unidade Não-Cacheável (Non-Cacheable/NC) é responsável por funções de serialização e efetuar as operações não-cacheáveis. Existe uma controladora de cache L3, mas a memória real é fora do chip. A controladora de barramento GX controla as comunições de I/O, há 2 barramentos GX de 4 bytes, um para entrada e outro para saída. A Controladora de Rede (Fabric Controller) é a controladora para a rede de barramentos, arbitrando a comunicação entre as controladoras L1/L2, entre os chips POWER4™ {4-vias, 8-vias, 16-vias, 32-vias} e POWER4™ MCM. Existe um Teste Funcional (Built In Self Test/BIST) e Unidade de Monitoramento de Performance (Performance Monitoring Unit/PMU). Reset no Power-on (Power-On Reset/POR) é suportado.
O POWER4 usa a microarquitetura superescalar através de execução sem-ordem de alta freqüência especulativa (high-frequency speculative out-of-order execution) usando 8 unidades de execução. Elas são: 2 unidades de ponto-flutuante(FP1-2), 2 unidades de load-store (LD1-2), 2 unidades de ponto-fixo (FX1-2), 1 unidade de branch (BR), e 1 unidade de registro-condição (CR). Essas unidades podem completar até 8 instruções por ciclo (não incluindo o BR e CR):
Os estágios de pipeline são:
Não somente o POWER4 se tornou o primeiro microprocessador a incorporar dual core em um único chip, mas também o primeiro a usar Multi-Chip Module/MCM fazendo 4 microprocessadores em um único invólucro.
Clock GHz | >1.3 | |
---|---|---|
Potência | 115 W | 1.5 V @ 1.1 GHz |
Transistores | 174 milhões | |
Gate L | 90 nm | |
Gate oxide | 2.3 nm | |
Metal-layer | pitch | thickness |
M1 | 500 nm | 310 nm |
M2 | 630 nm | 310 nm |
M3-M5 | 630 nm | 420 nm |
M6(MQ) | 1260 nm | 920 nm |
M7(LM) | 1260 nm | 920 nm |
Dielétrico | ~4.2 | |
Vdd | 1.6 V |
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