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Memristor
componente eletrônico passivo de dois terminais que mantém uma função não-linear entre corrente e tensão / De Wikipedia, a enciclopédia encyclopedia
Um memoristor (do inglês "memory resistor" ou, em português, resistor com memória) é um componente eletrônico passivo de dois terminais que mantém uma função não-linear entre corrente e tensão. Essa função, conhecida como memresistance (em português, memoristência), é similar a uma função de resistência variável. Alguns memoristores específicos provêm resistência controlável, mas não estão disponíveis comercialmente. Alguns componentes eletrôncios, tais como baterias ou varistores também apresentam características de memoristores, mas são sutis e não são dominantes em seu comportamento.
O memoristor é considerado o quarto componente eletrônico passivo. Da mesma forma que para o resistor, o capacitor e o indutor, a definição do memoristor pode ser dada por variáveis fundamentais da Eletrônica, tais como corrente, tensão, carga elétrica e fluxo magnético. No entanto, ao contrário dos outros três elementos que são lineares e invariantes ao tempo, o memoristor é não-linear e pode ter forma de grande variedade de funções de carga variáveis ao tempo. Não existe, assim, um memoristor genérico: cada memoristor pode ser desenvolvido para desempenhar uma determinada função não-linear entre a integral da tensão e a integral da corrente. Um memoristor linear e invariante ao tempo é simplesmente um resistor convencional.[1]
A teoria do memoristor foi formulada Leon Chua num artigo de 1971.[2] Chua extrapolou a simetria conceitual que existe entre resistor, indutor e capacitor, e inferiu a existência do memoristor como um componente fundamental na teoria dos circuitos. Outros cientistas já tinham previsto características não-lineares similares aos do memoristor, mas a teoria de Chua foi a primeira a criar generalização do conceito. No dia 30 de abril de 2008, uma equipe dos laboratórios da HP anunciaram a construção de um memoristor. Usando técnicas de nanotecnologia, construíram uma matriz de memoristores num finíssimo filme de dióxido de titânio.[3][4][5]
Esses componentes já estão sendo desenvolvidos para aplicações em memórias nanoeletrônicas e arquiteturas de computadores neuromórficos.[6]