Ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym

Ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym, FRAM, FeRAM, F-RAM (od ang. ferroelectric random-access memory) – pamięć nieulotna oparta na nośniku krystalicznym: kryształach roztworu stałego cyrkonianu i tytanianu ołowiu (materiały typu perowskitu). Kryształy te zawierają wewnątrz siatki atomy o dwóch stabilnych pozycjach. Przyłożenie napięcia o odpowiedniej polaryzacji wymusza zmianę pozycji atomu. Odczyt polega na pomiarze pochłanianej energii po kolejnym przyłożeniu napięcia; wiąże się to z koniecznością regeneracji zapisu w komórce.

FeRAM

Ferroelektryczne pamięci o dostępie swobodnym umożliwiają adresowanie, zapisywanie i odczytywanie pojedynczych słów – w odróżnieniu od pamięci flash modyfikacja zapisu nie wymaga uprzedniego kasowania całych bloków pamięci^[1].

Zalety:

• mały pobór energii
• bardzo duża trwałość (10¹²–10¹⁵ cykli zapisu^[2])
• bardzo duża szybkość zapisu (rzędu nanosekund)
• stabilność w czasie (∼40 lat w temperaturze 75 °C, ~150 lat w temperaturze 65 °C)

Wady:

• duży rozmiar komórki
• kłopotliwe odświeżanie
• mała kompatybilność z technologią CMOS
• cena

Pionierami tego typu pamięci były współpracujące ze sobą firmy Texas Instruments i Ramtron International.

W roku 2013 liderami w produkcji pamięci FRAM są firmy Ramtron, Fujitsu i Lapis. Pojemność pamięci sięga 2 Mb (np. MB85RS2MT firmy Fujitsu Semiconductor)^[1]. Dostępne są pamięci z interfejsem szeregowym SPI (do 40 MHz), I²C (do 3 MHz) oraz równoległym (dostęp od 20 ns).

Zobacz też

• nieulotna pamięć o dostępie swobodnym
• RAM
• EEPROM

Przypisy

1. Chris Sulivan. Przegląd oferty producentów pamięci nieulotnych FRAM. „Elektronika Praktyczna”. 9/2013, s. 71, AVt-Korporacja sp. zoo. ISSN 1230-3526.
2. Strona Texas Instruments.

Linki zewnętrzne

• Pamięci FRAM w zastosowaniach praktycznych

Kontrola autorytatywna (NVRAM):

• LCCN: sh85047879
• GND: 4830042-1
• J9U: 987007529122905171

Encyklopedie internetowe:

• Britannica: topic/ferroelectric-random-access-memory