Loading AI tools
Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Tranzystor polowy złączowy, JFET (ang. Junction Field-Effect Transistor) – jeden z rodzajów tranzystorów polowych.
Tranzystor taki składa się z warstwy półprzewodnika typu n (tranzystor z kanałem typu n) lub typu p (tranzystor z kanałem typu p) oraz wbudowanej w nią, silnie domieszkowanej warstwy półprzewodnika przeciwnego typu (odpowiednio p+ i n+). W rezultacie w tranzystorze jest złącze p-n. Na zewnątrz obudowy wyprowadzone są trzy końcówki: dren (D, drain); źródło (S, source) oraz bramka (G, gate)
Tranzystor polaryzuje się tak, ażeby nośniki większościowe (dziury w tranzystorach typu p, elektrony w tranzystorach typu n) przepływały od źródła do drenu. Natomiast złącze bramka – źródło polaryzuje się zaporowo.
Gdy napięcie bramka – źródło (UGS) jest równe zero, wówczas nośniki większościowe płyną bez przeszkód – prąd dla danego napięcia dren – źródło (UDS) osiąga wartość maksymalną oznaczaną symbolem IDSS. Gdy natomiast napięcie bramka – źródło zacznie rosnąć (a dokładniej jego wartość bezwzględna), wówczas w złączu p-n, które jest spolaryzowane zaporowo pojawi się obszar ładunku przestrzennego (obszar zubożony). Obszar ten wnika w kanał, a że praktycznie nie ma w nim swobodnych nośników (charakteryzuje się bardzo dużą rezystancją), czynny przekrój kanału maleje. Efektem jest zwiększenie rezystancji kanału, a więc ograniczenie prądu dren – źródło.
Gdy napięcie bramka – źródło osiągnie charakterystyczną dla danego tranzystora maksymalną wartość UGSOFF, kanał praktycznie zatyka się – prąd dren – źródło jest bardzo mały, rzędu 1–10 mikroamperów, tranzystor nie przewodzi.
Prąd drenu jest funkcją napięcia bramka – źródło i jego zmiana następuje na skutek zmian pola elektrycznego, co nazywane jest efektem polowym; zależność tę przedstawia rysunek.
Przebieg charakterystyki zależy od temperatury – wraz z jej wzrostem prąd IDSS rośnie, natomiast napięcie UGSOFF maleje. Istnieje jednak jeden punkt na charakterystyce (wyznaczany przez konkretne wartości prądu i napięcia), który nie ulega zmianom pod wpływem temperatury. Można zatem ustalić taki punkt pracy tranzystora, aby układ był niewrażliwy na zmiany temperatury, co jest ważną zaletą.
Tranzystor polowy może działać w trzech zakresach pracy:
Podstawowe parametry tranzystora JFET:
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.