Ingatan tak meruap

Ingatan tak meruap, memori tak meruap, atau storan tak meruap (NVM) adalah ingatan komputer yang boleh mengekalkan maklumat yang disimpan walaupun tanpa kuasa. Contoh ingatan tidak meruap termasuk ingatan baca sahaja (ROM), ingatan kilat, RAM feroelektrik (F-RAM), kebanyakan jenis peranti storan data komputer (contohnya cakera keras, cakera liut, dan pita magnet), cakera optik, dan kaedah penyimpanan komputer awal seperti pita kertas dan kad tebuk.

Jenis ingatan

Meruap RAM DRAM eDRAM SRAM 1T-SRAM Akan datang T-RAM Z-RAM TTRAM

Tidak meruap ROM PROM EPROM EEPROM NVRAM Ingatan kilat Akan datang FeRAM MRAM PRAM SONOS RRAM NRAM

Ingatan tak meruap biasanya digunakan untuk tugas storan sekunder, atau simpanan jangka panjang yang berterusan berbanding ingatan meruap yang digunakan untuk storan primer. Bentuk yang paling banyak digunakan untuk simpanan primer masa kini adalah satu bentuk ingatan capaian rawak (RAM) yang tidak meruap. Apabila komputer ditutup, segala yang terkandung dalam RAM akan hilang. Malangnya, kebanyakan bentuk ingatan tidak meruap mempunyai batasan yang membuatnya tidak sesuai untuk digunakan sebagai storan utama. Biasanya, ingatan tak meruap mempunyai kos lebih tinggi atau menunjukkan prestasi lebih teruk daripada ingatan capaian rawak yang meruap.

Beberapa syarikat sedang berusaha untuk membangunkan sistem ingatan tidak meruap yang setanding dalam kelajuan dan kapasiti RAM meruap. IBM kini sedang membangunkan MRAM (magnetoresistive RAM). Teknologi sedemikian bukan sahaja akan menjimatkan tenaga, tetapi ia akan membolehkan komputer yang boleh dihidupkan dan dimatikan serta-merta, tanpa urutan permulaan dan penutupan lambat. Di samping itu, Ramtron International telah membangunkan, menghasilkan, dan melesenkan RAM feroelektrik (F-RAM), satu teknologi yang menawarkan ciri yang berbeza daripada pilihan ingatan tak meruap yang lain, termasuk daya tahan yang sangat tinggi (melebihi 10¹⁶ untuk peranti 3.3 V), penggunaan kuasa yang sangat rendah (kerana F-RAM tidak memerlukan pam caj seperti ingatan tak meruap yang lain), kelajuan tinggi tulisan kitaran tunggal, dan toleransi sinaran gama. Syarikat-syarikat lain yang telah melesenkan dan menghasilkan teknologi F-RAM termasuk Texas Instruments, Rohm, dan Fujitsu.

Penyimpanan data tidak meruap boleh dikategorikan dalam sistem berasaskan elektrik (ingatan baca sahaja) dan sistem berasaskan mekanikal (cakera keras, cakera optik, pita magnet, ingatan holografik, dan lain-lain). Sistem beralamat elektrik mahal tetapi cepat, manakala sistem yang beralamat mekanikal mempunyai harga yang rendah per bit, tetapi perlahan. Ingatan tak meruap mungkin satu hari nanti menghapuskan keperluan sistem storan sekunder yang lebih perlahan seperti cakera keras.

Beralamat elektrik

Ingatan baca sahaja atau lebih dikenali sebagai ROM adalah ingatan komputer "dibina dalam" yang mengandungi data yang biasanya hanya boleh dibaca tapi tidak boleh ditulis. ROM mengandungi pengaturcaraan yang membolehkan komputer "but" atau dijana semula setiap kali pengguna menghidupkannya. Data dalam ROM tidak hilang apabila kuasa komputer dimatikan. Contoh ingatan baca sahaja termasuk MROM (ROM bertopeng), PROM (ROM boleh atur cara), EPROM (ROM boleh atur cara boleh padam), dan EEPROM (ROM boleh atur cara boleh padam secara elektrik).

Spesifikasi

Spesifikasi (Mac 2007)[1]	2.5" HDD	1" pemacu mikro	Ingatan kilat	Cakera optik	Pita	MRAM
Model peranti	Hitachi Travelstar 5k160[2]	Hitachi Microdrive 3k8[3]	Hynix HY27UH08AG5M[4]	Cakera Blu-ray	HP Ultrium 960[5]	Everspin (dahulu Freescale Semiconductor) MR2A16A[6]
Kepadatan (GBit/cm2)	20.3	18.4	6.7	3.8	0.047	0.0021
Keupayaan (GBait)	160	8	2	50	400	0.004
Harga per bit (Eur/GBait)	1.5	9.0	6.0	1.25	0.075	35000
Harga per unit (Eur)	110	87	14	635	2340	17.4
Harga per medium (Eur) (Bagi boleh alih)	nd	nd	nd	40	30	nd
Kadar data (Mbit/s)	540	80	23	144	640	436
Tempoh capaian (ms) (Purata/biasa)	11	12	0.025	180	72000	1.000035
Penggunaan kuasa (W) (Purata)	1.8	0.6	0.1	25	20	0.08
Faktor bentuk (t x l x d) (cm)	0.95x7x10	0.5x3x4	0.1x1.2x2	4x15x19	2x10x10	0.1x1x1.8

Nota

1. Informationstoragecourse2007, BluWiki, 2009-07-13, diarkibkan daripada yang asal pada 2012-03-13, dicapai pada 2012-01-30
2. "salinan arkib". Diarkibkan daripada yang asal pada 2007-09-27. Dicapai pada 2012-07-25.
3. "salinan arkib" (PDF). Diarkibkan daripada yang asal (PDF) pada 2011-07-18. Dicapai pada 2012-07-25.
4. "salinan arkib" (PDF). Diarkibkan daripada yang asal (PDF) pada 2010-08-24. Dicapai pada 2012-07-25.
5. "salinan arkib" (PDF). Diarkibkan daripada yang asal (PDF) pada 2012-09-15. Dicapai pada 2012-07-25.
6. "salinan arkib" (PDF). Diarkibkan daripada yang asal (PDF) pada 2007-01-29. Dicapai pada 2012-07-25.

Rujukan

1. http://www.webopedia.com/TERM/R/ROM.html
2. http://www.webopedia.com/TERM/E/EPROM.html
3. Topik B: Rekabentuk Dan Struktur Ingatan Google Docs
4. What is read-only memory (ROM)? - Definition from WhatIs.com
5. YAN Kun(2011). Nonlinstor-An electronic circuit element can be used to the future nonlinear store (or memory) system based on the form of the nonlinear differential equation (Brief annotation of the connection equation(R)), Xi'an: Xi'an Modern Nonlinear Science Applying Institute.