Viljams Šoklijs (angļu: William Bradford Shockley Jr., dzimis 1910. gada 13. februārī, miris 1989. gada 12. augustā) bija ASV fiziķis un izgudrotājs. 1956. gadā Šoklijam kopā ar Džonu Bardīnu un Volteru Brateinu tika piešķirta Nobela prēmija fizikā par viņu pusvadītāju pētījumiem un tranzistora efekta atklāšanu.[1]
Ātrie fakti Viljams Šoklijs William Bradford Shockley Jr., Personīgā informācija ...
|
Zinātniskā darbība |
Zinātne |
fizika |
Darba vietas |
Bell Labs Shockley Semiconductor Laboratory Stenforda Universitāte |
Alma mater |
Masačūsetsas Tehnoloģiju institūts Kalifornijas Tehnoloģiju institūts |
Pasniedzēji |
Džons Sleiters |
Sasniegumi, atklājumi |
- Punktveida kontakta tranzistors un GJT tranzistors (Grown-junction transistor)
- Diffused-base transistor
- Heterojunction bipolar transistor
- Tiristors
- BARITT diode
- Šoklija diode
- P-N pārejas teorija
- Bipolārā tranzistora (BJT) teorija
- Lauka-efekta tranzistora (FET) teorija
- Deathnium
- Deep-level trap
- Empty lattice approximation
- Gradual channel approximation
- Lucky electron model
- Hot electron theory (Hot electron injection)
- Channel length modulation
- Process variation
- Ion implantation
- Low-level injection
- Through-silicon via (TSV)
- Transmission line measurement
- Šoklija diodes vienādojums
- Shockley-Read-Hall recombination (Carrier generation and recombination)
- Shockley partials (Partial dislocation)
- Shockley–Ramo theorem
- Shockley states (Surface states)
- Shockley–Queisser limit
- Haynes-Shockley experiment
- Read-Shockley equation (Grain boundary - Boundary energy)
- Van Roosbroeck-Shockley equation (Reciprocitāte (optoelektronikā))
|
Apbalvojumi |
- Nobela prēmija fizikā (1956)
- Comstock Prize in Physics (1953)
- Oliver E. Buckley Condensed Matter Prize (1953)
- Wilheln Exner Medal (1963)
- IEEE Medal of Honor (1980)
|
|
Aizvērt