PRAM

피램(또는 상변화 메모리, Phase-change Memory, PCM, PCME, PRAM, PCRAM, C-RAM)은 비휘발성 메모리의 한 종류이며, 플래시 메모리의 비휘발성과, RAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리 반도체이다. 피램은 열을 가함에 따라 비정질상태와 결정질상태로 바뀌는 칼코게나이드 유리의 독특한 특성을 이용하여 데이터를 저장한다.

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PRAM은 칼코게나이드 유리의 독특한 특성을 활용한다. PCM에서는 일반적으로 질화 티타늄으로 만들어진 발열체에 전류를 흘려 발생하는 열을 사용하여 유리를 빠르게 가열하고 급냉하여 비정질로 만들거나 결정화 온도 범위에서 일정 시간 유지하여 유리를 비정질로 만들어 결정 상태로 바꾼다.^[1] PCM은 또한 다수의 별개의 중간 상태를 달성할 수 있는 능력을 가지고 있어 단일 셀에 여러 비트를 보유할 수 있지만^[2] 이러한 방식으로 셀을 프로그래밍하는 데 어려움이 있어 이러한 기능을 다른 기술(특히 플래시)에서 동일 기능으로 구현하는 것이 불가능했다.

PCM에 대한 최근 연구는 상변화 물질인 Ge2Sb2Te5(GST)에 대한 실행 가능한 물질 대안을 찾는 방향으로 진행되어 엇갈린 성공을 거두었다. 다른 연구에서는 레이저 펄스로 게르마늄 원자의 배위 상태를 변경함으로써 비열적 위상 변화를 달성하기 위한 GeTe-Sb2Te3 초격자의 개발에 중점을 두었다. 이 새로운 IPCM(Interfacial Phase-Change Memory)은 많은 성공을 거두었으며 계속해서 활발하게 연구되고 있다.^[3]

레온 추아(Leon Chua)는 PCM을 포함한 모든 2단자 비휘발성 메모리 장치가 멤리스터로 간주되어야 한다고 주장했다.^[4] HP 연구소의 스탠 윌리엄스(Stan Williams)도 PCM이 멤리스터로 간주되어야 한다고 주장했다.^[5] 그러나 이 용어는 도전을 받아 왔으며 물리적으로 실현 가능한 장치에 대한 멤리스터 이론의 잠재적 적용 가능성은 의문의 여지가 있다.^[6][7]

같이 보기

• FeRAM(FRAM)
• 자기 저항 메모리(MRAM)

각주

1. Le Gallo, Manuel; Sebastian, Abu (2020년 3월 30일). “An overview of phase-change memory device physics”. 《Journal of Physics D: Applied Physics》 (영어) 53 (21): 213002. Bibcode:2020JPhD...53u3002L. doi:10.1088/1361-6463/ab7794. ISSN 0022-3727. S2CID 213023359.
2. Burr, Geoffrey W.; BrightSky, Matthew J.; Sebastian, Abu; Cheng, Huai-Yu; Wu, Jau-Yi; Kim, Sangbum; Sosa, Norma E.; Papandreou, Nikolaos; Lung, Hsiang-Lan; Pozidis, Haralampos; Eleftheriou, Evangelos (June 2016). “Recent Progress in Phase-Change Memory Technology”. 《IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems》 6 (2): 146–162. Bibcode:2016IJEST...6..146B. doi:10.1109/JETCAS.2016.2547718. ISSN 2156-3357. S2CID 26729693.
3. Simpson, R.E.; P. Fons; A. V. Kolobov; T. Fukaya; 외. (July 2011). “Interfacial phase-change memory”. 《Nature Nanotechnology》 6 (8): 501–5. Bibcode:2011NatNa...6..501S. doi:10.1038/nnano.2011.96. PMID 21725305. S2CID 6684244. 지원되지 않는 변수 무시됨: |name-list-style= (도움말)
4. Chua, L. O. (2011), “Resistance switching memories are memristors”, 《Applied Physics A》 102 (4): 765–783, Bibcode:2011ApPhA.102..765C, doi:10.1007/s00339-011-6264-9
5. Mellor, Chris (2011년 10월 10일), “HP and Hynix to produce the memristor goods by 2013”, 《The Register》, 2012년 3월 7일에 확인함
6. Meuffels, P.; Soni, R. (2012). “Fundamental Issues and Problems in the Realization of Memristors”. arXiv:1207.7319 [cond-mat.mes-hall]. 더 이상 지원되지 않는 변수를 사용함 (도움말)
7. Di Ventra, Massimiliano; Pershin, Yuriy V. (2013). “On the physical properties of memristive, memcapacitive and meminductive systems”. 《Nanotechnology》 24 (25): 255201. arXiv:1302.7063. Bibcode:2013Nanot..24y5201D. CiteSeerX 10.1.1.745.8657. doi:10.1088/0957-4484/24/25/255201. PMID 23708238. S2CID 14892809.