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Une diode à effet tunnel, ou diode Esaki[1] est un dipôle électrique semi-conducteur qui présente une région de résistance négative dans sa courbe caractéristique, causé par un effet tunnel à travers sa jonction PN.
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La différence entre une diode classique et une diode tunnel est la suivante :
Lors de sa découverte, la diode tunnel offrait de grandes perspectives dans le domaine des oscillateurs UHF / SHF (Ultra / Super Hautes Fréquences)[2], par exemple dans les fours à micro-ondes ; cependant, depuis, les progrès des semi-conducteurs classiques permettent à ceux-ci de dépasser la diode tunnel avec les techniques conventionnelles.
L'intégration d'une diode à effet tunnel dans une diode laser peut améliorer les performances du laser[3]. On parle alors de jonction tunnel.
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