حافظه فلش
From Wikipedia, the free encyclopedia
حافظهٔ ترابرد یا فلش مموری (به انگلیسی: Flash memory)، حافظه غیرفرار ذخیرهسازی رایانهای است که میتوان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامهریزی کرد. این فناوری عمدتاً در رسانههای جداشدنی مانند یواسبی فلش درایو، کارتهای حافظه و درایو حالت جامد استفاده میشود و برای ذخیرهسازی عمومی و انتقال دادهها بین رایانهها و دیگر محصولات دیجیتال به کار میرود. این نوع خاصی از ئیئیپرام (حافظهٔ فقط خواندنی پاکشدنی و قابل برنامهریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامهریزی شدهاست. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست. علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار پویا با دسترسی تصادفی (دیرَم)، که برای حافظه اصلی در رایانهها به کار میرود سریع نیست) ولی مقاومتر از دیسک سخت در برابر شوک حرکتی میباشد.
این مقاله نیازمند تمیزکاری است. لطفاً تا جای امکان آنرا از نظر املا، انشا، چیدمان و درستی بهتر کنید، سپس این برچسب را بردارید. محتویات این مقاله ممکن است غیر قابل اعتماد و نادرست یا جانبدارانه باشد یا قوانین حقوق پدیدآورندگان را نقض کرده باشد. |
برای تأییدپذیری کامل این مقاله به منابع بیشتری نیاز است. (ژوئیه ۲۰۱۵) |
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که برحسب منطقهای نَند، نُر نامگذاری شدهاند سلولهای مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوط را نشان میدهند. در حالی که ئیپیرامها باید قبل از نوشته شدن بهطور کامل پاک شوند، فلشهای نوع نند میتوانند همزمان در بلوکهایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلشهای نُر به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه میدهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع نَند به صورت عمده در کارتهای حفظ فلشهای یواسبی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده میشود. فلشهای نَند، نُر معمولاً برای ذخیره پیکر بندی دادهها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده میشوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ ئیپیرامها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن میشد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخههای خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است. فلشهای نُر و نَند نام خود را از روابط داخلی بین سلولهای حافظهشان میگیرند. مشابه دروازهٔ نند، در فلشهای نند هم دروازهها در سریهایی به هم متصل هستند. در یک دروازه نُر ترانزیستورها بهطور موازی به هم متصل هستند و مانند آن در فلش نُر سلولها بهطور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین دلیل است که سلولها میتوانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامهنویسی شوند.[1] در مقایسه با فلشهای نُر جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروههای سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها میافزاید. در حالی که فلشهای نُر میتوانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلشهای نَند میتوانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.