سلول حافظه
From Wikipedia, the free encyclopedia
سلول حافظه (به انگلیسی: Memory Cell) واحد اصلی تشکیل دهنده حافظه رایانه است. سلول حافظه یک مدار الکترونیکی است که یک بیت دادهٔ دودویی را ذخیره میکند. برای ذخیره بیت یک (سطح ولتاژ بالا)، مدار در وضعیت «تنظیم»، و برای ذخیره بیت صفر (سطح ولتاژ پایین)، مدار در وضعیت «تنظیم مجدد» قرار میگیرد. هر مقدار تا رسیدن دستور بعدی باقی میماند و قابل خواندن است.
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/79/6T_SRAM_memory_cell_layout.jpg/220px-6T_SRAM_memory_cell_layout.jpg)
تا به امروز سلولهای حافظه مختلفی مورد استفاده قرار گرفتهاند، از جمله حافظهٔ هسته ای و حافظهٔ حبابی. امروزه رایجترین سلول حافظه مورد استفاده حافظهٔ MOS (حافظهٔ نیمه هادی) است که شامل سلولهای حافظهٔ نیمه رسانای اکسید-فلز است. حافظههای دسترسی تصادفی (RAM: Random Access Memory) از ترانزیستورهای اثر میدانی به عنوان فلیپفلاپ به همراه خازنهای نیمه رسانای اکسید-فلز استفاده میکنند.
سلولهای حافظهٔ SRAM (رَم ایستا) درواقع نوعی مدار فلیپ فلاپ است که با کمک ماسفتهای اجرا شدهاست. این حافظههای به توان اندکی جهت نگهداری حافظهٔ ذخیره شده هنگام اختلال دسترسی نیاز دارند. نوعی دیگر این سلولها،DRAM، (رَم پویا) بر اساس خازنهای نیمه هادی اکسید-فلز هستند. شارژ و دشارژ یک خازن میتواند منجر به ذخیره شدن بیت "۱" و "۰" شود. شارژ این خازنها میتواند به مرور نشت کند و به همین دلیل احتیاج به تجدید دوره ای دارد. همین دورهٔ تجدید میتواند باعث افزایش مصرف انرژی شود. با این وجود، میتواند به چگالی حافظه بزرگتری دسترسی پیدا کند.
از سوی دیگر، بیشتر حافظههای غیرفرار (NVM) بر اساس سلولهای حافظهٔ ماسفت با گیت شناور (در این ماسفتها، گیت یک الکترود مجزا دارد، که هنگام قطع انرژی همچنان شارژ را در خود نگه میدارد) ساخته شدهاند. تکنولوژی حافظههای غیر فرار شامل، EEROM, EPROM و حافظه فلش از سلولهای حافظه با گیت شناور استفاده میکنند.