Faasimuutmälu
From Wikipedia, the free encyclopedia
Faasimuutmälu ehk PRAM on mälu, kus teabe hoidmiseks kasutatakse teatud materjali võimet muuta oma struktuuri amorfse ja kristallilise oleku vahel. Neid materjale nimetatakse kalkogeniidideks (chalcogenides, ingl. k).[1][2]
See artikkel ootab keeletoimetamist. |
See artikkel vajab ajakohastamist. (Jaanuar 2019) |
Kalkogeniidide erilisi omadusi on uuritud juba palju aastaid. Stanford R. Ovshinsky uuris 1960. aastal esimesena kalkogeniide kui potentsiaalseid materjale mäluelementide valmistamiseks.[1] Esimesed mälud on turul inseneridele kättesaadavad nagu Microni toodetud 128 Mb jadaliidesega versioon.[3]
Faasimuutmälude kohta käivate publikatsioonide arv on viimastel aastatel järsult tõusnud.[1] Seda saab seletada vajadusega uute potentsiaalsete mälutüüpide järele, mida oleks võimalik kasutada kõikvõimalike tehniliste lahenduste parendamiseks. Uutel potentsiaalsetel mälutüüpidel, nagu faasimuutmälu, on lugemise, kirjutamise, andmete hoidmise ja kulumiskindluse tunnusjooned erinevad laialt levinud tavalisematest mäludest nagu DRAM (dünaamiline suvapöördmälu), SRAM (staatiline suvapöördmälu) ja välkmälu. Faasimuutmälu tunnusjooned lähenevad kõige rohkem DRAM ja välkmälule. Faasimuutmälud on leidnud endale koha potentsiaalse välkmälude konkurendina.[1]