En 1981 inició de nuevo los procesos de crecimiento de GaN por MOVPE en la Universidad de Nagoya (estatal), y en 1985, con su grupo, tuvo éxito en el crecimiento de GaN de alta calidad sobre sustrato de zafiro por la tecnología de capa amortiguadora pionera de baja temperatura (LT).[7][8]
1959-1964 Investigador Asociado, Profesor Asistente y profesor asociado, Departamento de Electrónica de la Universidad de Nagoya
1964-1974 Jefe del Laboratorio de Investigación Básica 4, Matsushita Research Institute Tokyo, Inc.
1974-1981 Gerente General del Departamento de Semiconductores (en el mismo instituto que el anterior)
1981-1992 Profesor en el Departamento de Electrónica de la Universidad de Nagoya
1987-1990 Líder de Proyecto de "Investigación y Desarrollo de diodo emisor de luz azul GaN", patrocinado por el Organismo Japonés de Ciencia y Tecnología (JST)
1992–hoy Profesor Emérito de la Univ. Nagoya, Profesor de la Univ. Meijo
1993-1999 Líder de Proyecto de "Investigación y Desarrollo de diodo emisor de luz azul GaN", patrocinado por el Organismo Japonés de Ciencia y Tecnología (JST)
1995-1996 Profesor visitante del Centro de Investigación para la interfaz de Electrónica Cuántica de la Universidad de Hokkaido
1996-2001 Líder de Proyectos de la Sociedad Japonesa para la Promoción de la Ciencia (JSPS) “Investigación para el "Programa Future"”
1996-2004 Líder del proyecto del “Centro de Alta Tecnología de Semiconductores de Nitruros" en la Univ. Meijo, auspicio del MEXT
Y otros usos de los ledes...
más originales.
2001–hoy Investigador del Centro Akasaki de Investigación de la Universidad de Nagoya
2003-2006 Pte. del "Comité Estratégico de I + D en dispositivos inalámbricos basados en Semiconductores de nitruros” auspicio del METI
2004–hoy Director del Centro de Investigación de Semiconductores de nitruros de la Universidad Meijo
Científicos y académicos
1989 Galardón Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
2003 Galardón Presidencial, the Science Council of Japan (SCJ)[20]
2003 Galardón Solid State Devices & Materials (SSDM)
2004 Premio Tokai TV Culture
2004 Profesor de la Univ. de Nagoya
2006 Galardón John Bardeen, the Minerals, Metals & Materials Society[21]
2006 Galardón Outstanding Achievement, the Japanese Association for Crystal Growth
2007 Galardón Honorable Lifetime Achievement, 162º Research Committee on Wide Bandgap Semiconductor Photonic and Electronic Devices, Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)
2008 Asociado extranjero, the US National Academy of Engineering[22]
2009 Premio Kioto en tecnología avanzada, por la Fundación Inamori[23]
Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 63, pp. 479-484 (Proc. of the 9th Intl. Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, 1981).
Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide, Kazumasa Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki. "Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAl xN (0<x < = 0,4) films grown on sapphire substrate by MOVPE". J. Crystal Growth 98 (1989): 209-219
«IEEE - Fellow Class of 1999». web.archive.org. 26 de diciembre de 2012. Archivado desde el original el 26 de diciembre de 2012. Consultado el 6 de junio de 2021.